ZHCSQ99A March 2023 – April 2023 TPSF12C3
PRODUCTION DATA
9.2.1.3 應用曲線
除非另有說明，否則 VVDD = VEN = 12V。
注： 高 DM 噪聲特征可能會掩蓋與 AEF 相關的 CM 噪聲性能的改善。減少 CM 扼流圈電感也可能減少漏電感，從而影響 DM 噪聲衰減。根據需要，安裝更高的 X 電容或分立式 DM 濾波電感器來管理 DM 衰減。另外，使用 DM-CM 噪聲分離器來隔離測得的總噪聲的 CM 分量。
圖 9-5 AEF 導通和關斷（EN 連接高電平和低電平）時的 CISPR 32 B 類 EMI 降噪結果
圖 9-6 IEC 61000-4-5 正浪涌，5kV 單次沖擊 – 1μs/div (a)，200μs/div (b)
圖 9-7 IEC 61000-4-5 負浪涌，5kV 單次沖擊 – 1μs/div (a)，200μs/div (b)
圖 9-8 IEC 61000-4-5 浪涌，以 10 秒為間隔的 5kV 重復沖擊 – 正 (a)，負 (b)
注： 浪涌測試電路使用 MOV (Littelfuse V20E300P)，它們從線路和中性濾波器輸入端連接到機箱接地。請參閱圖 9-11。