小柵極電容和米勒電容使得增強模式 GaN FET 能夠以很快的開關速度運行。感應的高 dv/dt 和 di/dt 配合低柵極閾值電壓和增強模式 GaN FET 柵極電壓的有限余量使得電路布局對于實現最佳性能至關重要。以下是一些建議：
- 盡可能靠近柵極驅動器放置 GaN FET。布局的主要優先事項是，通過將對 GaN FET 柵極進行充電和放電的峰值電流限制在印刷電路板上的極小物理區域內，降低整體環路電感并更大限度地減少噪聲耦合問題。
- 最大限度地減小自舉充電路徑的環路面積，因為它可能包含高峰值電流。考慮到 TPS7H60x5 有多個自舉充電選項且充電是按周期進行，請放置自舉電容器和二極管，以使所選的充電方法占用較小的環路面積。
- 將所有旁路電容器（VIN 至 AGND、BP5L 至 AGND、BP5H 至 ASW、BOOT 至 ASW）盡可能靠近器件和各自的引腳放置。建議使用低 ESR 和 ESL 的電容器。如果可能，將這些電容器與柵極驅動器放置在印刷電路板的同一側。
- 分離電源跡線和信號跡線，并盡量減少不同印刷電路板層上的信號重疊。
- 與高側 FET 和低側 FET 的源極串聯的寄生電感會在開關期間向驅動器施加過多的負電壓瞬變。使用短的低電感路徑將 PSW 連接到高側 FET 源極并將 PGND 連接到低側 FET 源極。
- 為了防止輸入電源總線上出現過多的振鈴，需要采取良好的去耦合做法，就是在 GaN FET 附近放置低 ESR 電容器。