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TPS7H6005-SEP

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耐輻射、200V 半橋 GaN 柵極驅動器

產品詳情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 200 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (μs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
Bootstrap supply voltage (max) (V) 200 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (μs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
HTSSOP (DCA) 56 113.4 mm2 14 x 8.1
  • 輻射性能：
    • 耐輻射保障 (RHA) 高達 100krad(Si) 總電離劑量 (TID)
    • 單粒子瞬變 (SET)、單粒子燒毀 (SEB) 和單粒子柵穿 (SEGR) 對于線性能量傳遞 (LET) 的抗擾度高達 75MeV-cm2/mg
    • 單粒子瞬變 (SET) 和單粒子功能中斷 (SEFI) 的特征值高達 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉電流和 2.5A 峰值灌電流
  • 兩種工作模式：
    • 具有可調死區時間的單個 PWM 輸入
    • 兩個獨立輸入
  • 在獨立輸入模式下提供可選輸入互鎖保護
  • 分離輸出實現可調的導通和關斷時間
  • 獨立輸入模式下的典型傳播延遲為 30ns
  • 5.5ns 典型延遲匹配
  • 通過符合 ASTM E595 標準的塑料封裝廢氣測試
  • 可用于軍用溫度范圍，即 -55°C 至 125°C
  • 輻射性能：
    • 耐輻射保障 (RHA) 高達 100krad(Si) 總電離劑量 (TID)
    • 單粒子瞬變 (SET)、單粒子燒毀 (SEB) 和單粒子柵穿 (SEGR) 對于線性能量傳遞 (LET) 的抗擾度高達 75MeV-cm2/mg
    • 單粒子瞬變 (SET) 和單粒子功能中斷 (SEFI) 的特征值高達 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉電流和 2.5A 峰值灌電流
  • 兩種工作模式：
    • 具有可調死區時間的單個 PWM 輸入
    • 兩個獨立輸入
  • 在獨立輸入模式下提供可選輸入互鎖保護
  • 分離輸出實現可調的導通和關斷時間
  • 獨立輸入模式下的典型傳播延遲為 30ns
  • 5.5ns 典型延遲匹配
  • 通過符合 ASTM E595 標準的塑料封裝廢氣測試
  • 可用于軍用溫度范圍，即 -55°C 至 125°C

TPS7H60x5 系列耐輻射保障 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 柵極驅動器專為高頻、高效率和高電流應用而設計。該系列包括 TPS7H6005（200V 等級）、TPS7H6015（60V 等級）和 TPS7H6025（22V 等級）。這些器件全都采用 56 引腳 HTSSOP 塑料封裝，并提供 QMLP 和增強型航天塑料 (SEP) 等級。這些驅動器具有可調節死區時間功能、30ns 低傳播延遲，以及 5.5ns 的高側和低側匹配。這些器件還包括內部高側和低側 LDO，無論電源電壓如何，都能確保驅動電壓為 5V。TPS7H60x5 驅動器都具有分離柵極輸出，可獨立靈活地調節輸出的導通和關斷強度。

TPS7H60x5 驅動器具有兩種控制輸入模式：獨立輸入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每個輸出都由專用輸入來控制。在 PWM 模式下，兩個補償輸出信號由單個輸入產生，用戶可以調節每個邊沿的死區時間。

柵極驅動器還提供用戶可配置的輸入互鎖功能，在獨立輸入模式下作為防擊穿保護。當兩個輸入同時導通時，輸入互鎖不允許兩個輸出同時導通。用戶可以選擇在獨立輸入模式下啟用或禁用此保護，從而可以在多種不同的轉換器配置中使用該驅動器。這些驅動器還可用于半橋和雙低側轉換器應用。

TPS7H60x5 系列耐輻射保障 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 柵極驅動器專為高頻、高效率和高電流應用而設計。該系列包括 TPS7H6005（200V 等級）、TPS7H6015（60V 等級）和 TPS7H6025（22V 等級）。這些器件全都采用 56 引腳 HTSSOP 塑料封裝，并提供 QMLP 和增強型航天塑料 (SEP) 等級。這些驅動器具有可調節死區時間功能、30ns 低傳播延遲，以及 5.5ns 的高側和低側匹配。這些器件還包括內部高側和低側 LDO，無論電源電壓如何，都能確保驅動電壓為 5V。TPS7H60x5 驅動器都具有分離柵極輸出，可獨立靈活地調節輸出的導通和關斷強度。

TPS7H60x5 驅動器具有兩種控制輸入模式：獨立輸入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每個輸出都由專用輸入來控制。在 PWM 模式下，兩個補償輸出信號由單個輸入產生，用戶可以調節每個邊沿的死區時間。

柵極驅動器還提供用戶可配置的輸入互鎖功能，在獨立輸入模式下作為防擊穿保護。當兩個輸入同時導通時，輸入互鎖不允許兩個輸出同時導通。用戶可以選擇在獨立輸入模式下啟用或禁用此保護，從而可以在多種不同的轉換器配置中使用該驅動器。這些驅動器還可用于半橋和雙低側轉換器應用。
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技術文檔

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* 數據表 TPS7H60x5-SP 和 TPS7H60x5-SEP 耐輻射保障半橋 GaN FET 柵極驅動器 數據表 (Rev. C) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2025年 5月 5日
* 輻射與可靠性報告 TPS7H6005-SEP, TPS7H6015-SEP and TPS7H6025-SEP Neutron Displacement Damage (NDD) Characterization Report (Rev. A) 2025年 4月 30日
* VID TPS7H6005-SEP VID TPS7H6005-SEP V62-24632 2025年 4月 8日
* 輻射與可靠性報告 TPS7H6005-SEP Production Flow and Reliability Report (Rev. A) PDF | HTML 2025年 2月 24日
* 輻射與可靠性報告 TPS7H6005-SEP Total Ionizing Dose (TID) Report PDF | HTML 2024年 12月 10日
* 輻射與可靠性報告 TPS7H60X5-SEP Single-Event Effects (SEE) Report PDF | HTML 2024年 11月 14日
選擇指南 TI Space Products (Rev. K) 2025年 4月 4日
應用手冊 借助增強型航天塑料產品降低近地軌道任務的風險 (Rev. A) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2022年 10月 14日
電子書 電子產品輻射手冊 (Rev. A) 2019年 5月 21日

設計和開發

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評估板

TPS7H6005EVM — TPS7H6005-SEP 評估模塊

TPS7H6005 評估模塊演示了 TPS7H6005-SEP 柵極驅動器的運行情況。默認情況下，該評估模塊設置為在 PWM 模式下與 TPS7H60XX-SP 一起運行。該模式接受一個開關信號的輸入，并在內部生成互補信號。這可以更改為器件的 IIM 模式，在該模式下，兩個輸出彼此獨立工作。

用戶指南: PDF | HTML
英語版 (Rev.B): PDF | HTML
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仿真模型

TPS7H60x3-SP PSpice Transient Model

SNOM790.ZIP (46 KB) - PSpice Model
下載
仿真模型

TPS7H60x3/TPS7H60x5 SIMPLIS Model

SNOM811.ZIP (22 KB) - SIMPLIS Model
下載
模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設計和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設計和仿真環境。此功能齊全的設計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用，包括業內超大的模型庫之一，涵蓋我們的模擬和電源產品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設計和仿真環境及其內置的模型庫，您可對復雜的混合信號設計進行仿真。創建完整的終端設備設計和原型解決方案，然后再進行布局和制造，可縮短產品上市時間并降低開發成本。?

在?PSpice for TI 設計和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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參考設計

PMP23391 — 適用于 100kRad 應用的 300W、12V 輸出 ZVS 全橋轉換器參考設計

該參考設計是一種全橋拓撲，包括以次級接地為基準的 TPS7H5005-SEP，用于控制三個 TPS7H6005-SEP 半橋柵極驅動器。以初級側為基準的兩個驅動器在脈寬調制 (PWM) 模式下運行，使得該設計能夠在較高負載條件下實現零電壓開關 (ZVS)。在次級側，另一個驅動器控制一對次級整流器，以進一步提高轉換效率。在此設計中，選擇控制器、半橋驅動器和 GaN 場效應晶體管 (FET) 來滿足對地靜止軌道輻射 (GEO) 要求。這些元件可以互換以滿足其他任務規格。
測試報告: PDF
參考設計

PMP23552 — 適用于各類航天任務的 50V 至 150V 輸入電壓、28V、12A 同步降壓轉換器參考設計

此參考設計是一款 28V 輸出、12A 同步降壓轉換器，適用于具有 50V 至 150V 工作輸入電壓范圍的航天任務。主要應用包括從太陽能電池板和 120VDC 配電總線降低電壓。TPS7H5006-SEP 脈寬調制 (PWM) 控制器使用電壓模式控制來控制功率級。OPA4H199-SEP 檢測傳感電阻電壓，從而實現輸出短路保護。TPS7H6005-SEP 具有可調死區時間，可優化開關 MOSFET 的時序，從而在輸入電壓為 100V 時實現 95% 以上的效率，在輸入電壓為 50V 時實現 96% 以上的效率。包含的 12V 自偏置電路可直接從輸出端為控制電路供電。如果提供了外部 12V (...)
測試報告: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
HTSSOP (DCA) 56 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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