ZHCSST0C June 2024 – April 2025 TPS7H6005-SEP , TPS7H6005-SP , TPS7H6015-SEP , TPS7H6015-SP , TPS7H6025-SEP , TPS7H6025-SP
PRODMIX
| 引腳 | I/O(1) | 說明 | |||
|---|---|---|---|---|---|
| 編號 | 名稱 | ||||
| 8 | BOOT | I | 高側線性穩壓器的輸入電壓電源。外部自舉電容器放在 BOOT 和 ASW 之間。外部自舉二極管的陰極連接至該引腳。BOOT 和 ASW 之間可能需要齊納二極管鉗位,以免超過絕對最大電氣額定值。 | ||
| 9–13 | ASW | — | 高側驅動器信號回路。ASW(9) 在內部連接到 PSW 和高側散熱焊盤。從外部將 ASW(10-13) 連接至 ASW。 | ||
| 16 | BST | O | 對于利用內部自舉開關的自舉充電,該引腳用作自舉二極管陽極連接點。外部高側自舉電容器可以通過該引腳使用施加到 VIN 的輸入電壓、內部自舉開關和外部自舉二極管進行充電。 | ||
| 17 | BP7L | O | 低側 7V 線性穩壓器輸出。從 BP7L 到 AGND 之間需要最低 1μF 電容。 | ||
| 18 | VIN | I | 柵極驅動器輸入電壓電源。輸入電壓范圍為 10V 至 14V。該引腳用作低側線性穩壓器和內部自舉開關的輸入。為了直接從輸入電壓進行自舉充電,VIN 還用作自舉二極管陽極連接點。 | ||
| 15、19、25 | AGND | — | 低側驅動器信號回路。AGND(15) 和 AGND(19) 在內部連接到 PGND 和低側散熱焊盤。從外部將 AGND(25) 連接至 AGND。 | ||
| 20 | DHL | I | 高側至低側死區時間設定。在 PWM 模式下,從 DHL 到 AGND 之間的電阻設定了高側關斷與低側導通之間的死區時間。在獨立輸入模式 (IIM) 下,DHL 用于配置驅動器的輸入互鎖保護。在啟用互鎖的 IIM 中,DHL 連接到 BP5L。對于禁用互鎖的 IIM,在 DHL 和 AGND 之間連接一個值在 100kΩ 和 220kΩ 之間的電阻器。 | ||
| 21 | DLH | I | 低側至高側死區時間設定。在 PWM 模式下,從 DLH 到 AGND 之間的電阻設定了低側關斷與高側導通之間的死區時間。在獨立輸入模式 (IIM) 下,DLH 用于配置驅動器的輸入互鎖保護。對于啟用互鎖的 IIM,在 DLH 和 AGND 之間連接一個值在 100kΩ 和 220kΩ 之間的電阻器。在禁用互鎖的 IIM 中,DLH 連接到 BP5L。 | ||
| 22 | PGOOD | O | 電源正常引腳。當任何低側內部線性穩壓器或 VIN 進入欠壓鎖定狀態時,置位低電平。需要一個 10kΩ 上拉電阻器連接到 BP5L。 | ||
| 23 | EN_HI | I | 使能輸入或高側驅動器控制輸入。在 PWM 模式下,該引腳用作使能引腳。在獨立輸入模式 (IIM) 下,該引腳用作高側驅動器的控制輸入。 | ||
| 24 | PWM_LI | I | PWM 輸入或低側驅動器控制輸入。在 PWM 模式下,該引腳用作柵極驅動器的 PWM 輸入。在獨立輸入模式 (IIM) 下,該引腳用作低側驅動器的控制輸入。 | ||
| 29–32、42 | PGND | — | 低側電源接地。連接到低側 GaN FET 的源極。內部連接到 AGND 和低側散熱焊盤。在印刷電路板級別連接到 AGND。 | ||
| 33–35 | BP5L | O | 低側 5V 線性穩壓器輸出。從 BP5L 到 PGND 之間需要最低 1μF 電容。 | ||
| 36–38 | LOH | O | 低側驅動器拉電流輸出。通過短的低電感路徑連接到低側 GaN FET 的柵極。可使用 LOH 和 GaN FET 柵極之間的電阻器來調節導通速度。 | ||
| 39–41 | LOL | O | 低側驅動器灌電流輸出。通過短的低電感路徑連接到低側 GaN FET 的柵極。可使用 LOL 和 GaN FET 柵極之間的電阻器來調節關斷速度。 | ||
| 44–47 | PSW | — | 開關節點連接。連接到高側 GaN FET 的源極。內部連接到 ASW 和高側散熱焊盤。在印刷電路板級別連接到 ASW。 | ||
| 48–50 | BP5H | O | 高側 5V 線性穩壓器輸出。從 BP5H 到 PSW 之間需要最低 1μF 電容。 | ||
| 51–53 | HOH | O | 高側驅動器拉電流輸出。通過短的低電感路徑連接到高側 GaN FET 的柵極。可使用 HOH 和 GaN FET 柵極之間的電阻器來調節導通速度。 | ||
| 54–56 | HOL | O | 高側驅動器灌電流輸出。通過短的低電感路徑連接到高側 GaN FET 的柵極。可使用 HOL 和 GaN FET 柵極之間的電阻器來調節關斷速度。 | ||
| 1–7、14、26–28、43 | NC | — | 無連接。這些引腳沒有在內部連接。為了避免金屬懸空并防止電荷累積,引腳 1-7 和引腳 26-28 可保持未連接狀態或連接到相應的基準電壓(ASW 或 AGND)。對于引腳 14 和 43,建議讓它們保持未連接狀態,以滿足 IEC-60664 的爬電距離和間隙要求。最終,引腳 14 和 43 的連接由用戶根據為設計選擇的特定爬電距離和間隙指南來決定。 | ||
| — | PSW 焊盤 | — | 高側散熱焊盤。內部連接到 ASW(9) 和 PSW。應連接到 ASW 引腳。 | ||
| — | PGND 焊盤 | — | 低側散熱焊盤。內部連接到 AGND(15)、AGND(19) 和 PGND。應連接到 AGND 引腳。 | ||