ZHCSST0C June 2024 – April 2025 TPS7H6005-SEP , TPS7H6005-SP , TPS7H6015-SEP , TPS7H6015-SP , TPS7H6025-SEP , TPS7H6025-SP
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請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
| 引腳 | I/O(1) | 說明 | |||
|---|---|---|---|---|---|
| 編號 | 名稱 | ||||
| 8 | BOOT | I | 高側(cè)線性穩(wěn)壓器的輸入電壓電源。外部自舉電容器放在 BOOT 和 ASW 之間。外部自舉二極管的陰極連接至該引腳。BOOT 和 ASW 之間可能需要齊納二極管鉗位，以免超過絕對最大電氣額定值。 | ||
| 9–13 | ASW | — | 高側(cè)驅(qū)動器信號回路。ASW(9) 在內(nèi)部連接到 PSW 和高側(cè)散熱焊盤。從外部將 ASW(10-13) 連接至 ASW。 | ||
| 16 | BST | O | 對于利用內(nèi)部自舉開關(guān)的自舉充電，該引腳用作自舉二極管陽極連接點。外部高側(cè)自舉電容器可以通過該引腳使用施加到 VIN 的輸入電壓、內(nèi)部自舉開關(guān)和外部自舉二極管進(jìn)行充電。 | ||
| 17 | BP7L | O | 低側(cè) 7V 線性穩(wěn)壓器輸出。從 BP7L 到 AGND 之間需要最低 1μF 電容。 | ||
| 18 | VIN | I | 柵極驅(qū)動器輸入電壓電源。輸入電壓范圍為 10V 至 14V。該引腳用作低側(cè)線性穩(wěn)壓器和內(nèi)部自舉開關(guān)的輸入。為了直接從輸入電壓進(jìn)行自舉充電，VIN 還用作自舉二極管陽極連接點。 | ||
| 15、19、25 | AGND | — | 低側(cè)驅(qū)動器信號回路。AGND(15) 和 AGND(19) 在內(nèi)部連接到 PGND 和低側(cè)散熱焊盤。從外部將 AGND(25) 連接至 AGND。 | ||
| 20 | DHL | I | 高側(cè)至低側(cè)死區(qū)時間設(shè)定。在 PWM 模式下，從 DHL 到 AGND 之間的電阻設(shè)定了高側(cè)關(guān)斷與低側(cè)導(dǎo)通之間的死區(qū)時間。在獨立輸入模式 (IIM) 下，DHL 用于配置驅(qū)動器的輸入互鎖保護(hù)。在啟用互鎖的 IIM 中，DHL 連接到 BP5L。對于禁用互鎖的 IIM，在 DHL 和 AGND 之間連接一個值在 100kΩ 和 220kΩ 之間的電阻器。 | ||
| 21 | DLH | I | 低側(cè)至高側(cè)死區(qū)時間設(shè)定。在 PWM 模式下，從 DLH 到 AGND 之間的電阻設(shè)定了低側(cè)關(guān)斷與高側(cè)導(dǎo)通之間的死區(qū)時間。在獨立輸入模式 (IIM) 下，DLH 用于配置驅(qū)動器的輸入互鎖保護(hù)。對于啟用互鎖的 IIM，在 DLH 和 AGND 之間連接一個值在 100kΩ 和 220kΩ 之間的電阻器。在禁用互鎖的 IIM 中，DLH 連接到 BP5L。 | ||
| 22 | PGOOD | O | 電源正常引腳。當(dāng)任何低側(cè)內(nèi)部線性穩(wěn)壓器或 VIN 進(jìn)入欠壓鎖定狀態(tài)時，置位低電平。需要一個 10kΩ 上拉電阻器連接到 BP5L。 | ||
| 23 | EN_HI | I | 使能輸入或高側(cè)驅(qū)動器控制輸入。在 PWM 模式下，該引腳用作使能引腳。在獨立輸入模式 (IIM) 下，該引腳用作高側(cè)驅(qū)動器的控制輸入。 | ||
| 24 | PWM_LI | I | PWM 輸入或低側(cè)驅(qū)動器控制輸入。在 PWM 模式下，該引腳用作柵極驅(qū)動器的 PWM 輸入。在獨立輸入模式 (IIM) 下，該引腳用作低側(cè)驅(qū)動器的控制輸入。 | ||
| 29–32、42 | PGND | — | 低側(cè)電源接地。連接到低側(cè) GaN FET 的源極。內(nèi)部連接到 AGND 和低側(cè)散熱焊盤。在印刷電路板級別連接到 AGND。 | ||
| 33–35 | BP5L | O | 低側(cè) 5V 線性穩(wěn)壓器輸出。從 BP5L 到 PGND 之間需要最低 1μF 電容。 | ||
| 36–38 | LOH | O | 低側(cè)驅(qū)動器拉電流輸出。通過短的低電感路徑連接到低側(cè) GaN FET 的柵極。可使用 LOH 和 GaN FET 柵極之間的電阻器來調(diào)節(jié)導(dǎo)通速度。 | ||
| 39–41 | LOL | O | 低側(cè)驅(qū)動器灌電流輸出。通過短的低電感路徑連接到低側(cè) GaN FET 的柵極。可使用 LOL 和 GaN FET 柵極之間的電阻器來調(diào)節(jié)關(guān)斷速度。 | ||
| 44–47 | PSW | — | 開關(guān)節(jié)點連接。連接到高側(cè) GaN FET 的源極。內(nèi)部連接到 ASW 和高側(cè)散熱焊盤。在印刷電路板級別連接到 ASW。 | ||
| 48–50 | BP5H | O | 高側(cè) 5V 線性穩(wěn)壓器輸出。從 BP5H 到 PSW 之間需要最低 1μF 電容。 | ||
| 51–53 | HOH | O | 高側(cè)驅(qū)動器拉電流輸出。通過短的低電感路徑連接到高側(cè) GaN FET 的柵極。可使用 HOH 和 GaN FET 柵極之間的電阻器來調(diào)節(jié)導(dǎo)通速度。 | ||
| 54–56 | HOL | O | 高側(cè)驅(qū)動器灌電流輸出。通過短的低電感路徑連接到高側(cè) GaN FET 的柵極。可使用 HOL 和 GaN FET 柵極之間的電阻器來調(diào)節(jié)關(guān)斷速度。 | ||
| 1–7、14、26–28、43 | NC | — | 無連接。這些引腳沒有在內(nèi)部連接。為了避免金屬懸空并防止電荷累積，引腳 1-7 和引腳 26-28 可保持未連接狀態(tài)或連接到相應(yīng)的基準(zhǔn)電壓（ASW 或 AGND）。對于引腳 14 和 43，建議讓它們保持未連接狀態(tài)，以滿足 IEC-60664 的爬電距離和間隙要求。最終，引腳 14 和 43 的連接由用戶根據(jù)為設(shè)計選擇的特定爬電距離和間隙指南來決定。 | ||
| — | PSW 焊盤 | — | 高側(cè)散熱焊盤。內(nèi)部連接到 ASW(9) 和 PSW。應(yīng)連接到 ASW 引腳。 | ||
| — | PGND 焊盤 | — | 低側(cè)散熱焊盤。內(nèi)部連接到 AGND(15)、AGND(19) 和 PGND。應(yīng)連接到 AGND 引腳。 | ||