ZHCSZ61 November 2025 TPS7E82-Q1
ADVANCE INFORMATION
6.3.6 功率限制
該器件有一個內部過功率限制電路，可在內部 SOA（安全工作區）限制內限制 LDO 上的功率耗散。LDO 因素在確保硅元件及封裝中使用的鍵合線安全運行方面由 SOA 限制。這些限制可驗證器件的可靠運行，并防止器件失效因過熱、擊穿或其他損壞效應而產生。
LDO 上耗散的功率 (PDissip) 由 LDO 兩端的壓降 (VIN - V OUT) 及流經的負載電流 (IL) 定義。
方程式 2.
功率限制電路可監測 LDO 上的壓降（余量，VIN - VOUT）和流經的輸出負載電流 (IOUT)。如果 PDissip 超過定義的 SOA 限制，則功率限制電路會限制流經的負載電流 (IOUT)。當器件處于功率限制操作狀態時，不會調節輸出電壓。節 5.5 中記錄了滿余量 (VIN - VOUT = 40V) 下支持的最大電流 (IPLIMIT) 和滿負載電流下支持的最大余量 (VPHEADROOM)。
圖 6-6 展示了功率限制圖。
圖 6-6 功率限制