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ZHCSRU0B January 2025 – June 2025 TPS7B4260-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

DDA|8
- MPDS092F

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

DDA|8
- PPTD058J

訂購(gòu)信息

7.2.2.3 前饋電容器

建議在 OUT 引腳和 FB 引腳之間連接前饋電容器 (C_FF)。C_FF 可改善瞬態(tài)、噪聲和 PSRR 性能。但是，LDO 啟動(dòng)時(shí)間隨著 C_FF 電容的增加而增加。有關(guān) C_FF 權(quán)衡的詳細(xì)說(shuō)明，請(qǐng)參閱使用前饋電容器和低壓降穩(wěn)壓器的優(yōu)缺點(diǎn) 應(yīng)用手冊(cè)。

如圖 7-2 所示，不良的布局做法以及在 FB 引腳上使用長(zhǎng)布線會(huì)導(dǎo)致形成寄生電容器 (C_FB)。

圖 7-2 在 FB 引腳上的寄生電容器

C_FB 與反饋電阻器 R₁ 和 R₂ 結(jié)合，可能會(huì)導(dǎo)致在環(huán)路增益的傳遞函數(shù)中形成一個(gè)未補(bǔ)償?shù)臉O點(diǎn)。當(dāng) C_FB 值只有 20pF 時(shí)，可能會(huì)導(dǎo)致由方程式 7 給出的寄生極點(diǎn)頻率處于 LDO 帶寬范圍內(nèi)。

方程式 7.

f_{P} = \frac{1}{(2 \times π {\times C}_{F B} \times (R_{1} ∥ R_{2}))}

如圖 7-3 所示，添加前饋電容器 (C_FF) 會(huì)在環(huán)路增益?zhèn)鬟f函數(shù)中創(chuàng)建零點(diǎn)。這個(gè)零點(diǎn)補(bǔ)償了 C_FB 產(chǎn)生的寄生極點(diǎn)。方程式 8 和方程式 9 用于計(jì)算極點(diǎn)和零點(diǎn)頻率。

圖 7-3 前饋電容器有助于減輕寄生反饋電容器的影響

方程式 8.

f_{P} = \frac{1}{(2 \times π \times (R_{1} ∥ R_{2}) \times (C_{F F} + C_{F B}))}

方程式 9.

f_{Z} = \frac{1}{(2 \times π \times C_{F F} \times R_{1})}

選擇一個(gè)使 f_P 等于 f_Z的 C_FF 值可以消除極點(diǎn)零點(diǎn)。C_FF 值取決于 C_FB 的值以及應(yīng)用中使用的反饋電阻器?；蛘撸绻x擇前饋電容器以使 C_FF ? C_FB，則方程式 8 和方程式 9 中極點(diǎn)頻率和零點(diǎn)頻率的關(guān)系如下：

方程式 10.

\frac{f_{p}}{f_{z}} \approx (1 + \frac{R_{1}}{R_{2}}) = \frac{V_{O U T}}{V_{A D J / E N}}

在大多數(shù)應(yīng)用中，尤其是產(chǎn)生 3.3V 或 5V V_OUT的應(yīng)用中，該比率不是很大。這意味著頻率彼此接近，因而寄生極點(diǎn)會(huì)得到補(bǔ)償。C_FF 值在 100pF ≤ C_FF ≤ 10nF 范圍內(nèi)通常有助于防止 C_FB 導(dǎo)致的不穩(wěn)定，即使對(duì)于較大的 V_OUT 值也是如此。

遵循良好的布局實(shí)踐有助于將寄生反饋引腳電容降至可防止產(chǎn)生的寄生極點(diǎn)導(dǎo)致不穩(wěn)定的值。請(qǐng)參閱 布局指南 部分和 TRKRLDOEVM-119 通用跟蹤器 LDO 評(píng)估模塊用戶指南。