ZHCSJF4 February 2019 TPS65295
PRODUCTION DATA.
TPS65295 器件能夠以最低的總成本和最小的空間為 DDR4 存儲器系統提供完整的電源解決方案。它符合 JEDEC 標準中的 DDR4 加電和斷電順序要求。TPS65295 將兩個同步降壓轉換器(VPP 和 VDDQ)與 1A 灌電流和拉電流跟蹤 LDO (VTT) 以及緩沖低噪聲基準 (VTTREF) 集成在一起。TPS65295 采用耦合了 600kHz 開關頻率的 D-CAP3™模式,此模式可在無需外部補償電路的情況下實現易于使用的快速瞬變并支持陶瓷輸出電容器。
VTTREF 跟蹤 ½ VDDQ 的精度優于 0.8%。VTT 可同時提供 1A 持續灌電流和拉電流功能,而僅需 10μF 的陶瓷輸出電容。
TPS65295 可提供豐富的功能和卓越的電源性能。它支持靈活功耗狀態控制,將 VTT 置于高阻抗狀態(處于 S3)并在 S4/S5 狀態下對 VDDQ、VTT 和 VTTREF 進行放電。另外還提供 OVP、UVP、OCP、UVLO 和熱關斷保護。此器件采用熱增強型 18 引腳 HotRod™VQFN 封裝,額定結溫范圍為 –40°C 至 125°C。
| 器件型號 | 封裝 | 封裝尺寸(標稱值) |
|---|---|---|
| TPS65295 | VQFN (18) | 3.00mm × 3.00mm |