ZHCSQO4B December 2022 – June 2024 TPS65220
PRODUCTION DATA
| POS | 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 電氣特性 | |||||||
| 8.1.1 | VIN | 輸入電壓（LDO 模式）(1) | LDO 模式，最大 VVSYS | 2.2 | 5.5 | V | |
| 8.1.2 | VIN | 輸入電壓（LSW 模式）(1) | LSW 模式，最大 VVSYS | 2.2 | 5.5 | V | |
| 8.1.3 | VOUT | LDO 輸出電壓可配置范圍 |
VIN = 2.2V 至 5.5V，最大 VVSYS | 1.2 | 3.3 | V | |
| 8.1.4 | VOUT_STEP | 輸出電壓階躍 | 1.2V ≤ VOUT ≤ 3.3V | 50 | mV | ||
| 8.1.5 | VDROPOUT | 壓降電壓 | VINmin ≤ VIN ≤ VINmax，IOUT = IOUTmax | 150 | 300 | mV | |
| 8.1.6 | VOUT_DC_ACCURACY | 總直流精度，包括所有有效輸出電壓的直流負(fù)載和線性調(diào)整率 | LDO 模式，VIN - VOUT > 300mV | -1% | 1% | ||
| 8.1.6a | VLOAD_REGULATION | 直流負(fù)載調(diào)整率，ΔVOUT | 1mA ≤ IOUT ≤ IOUTmax | -1% | 1% | ||
| 8.1.7 | RBYPASS | LSW 模式下的旁路電阻 | VIN = 3.3V，IOUT = 100mA，負(fù)載開關(guān)模式啟用 | 1 | Ω | ||
| 8.2.1 | VLOAD_TRANSIENT | 瞬態(tài)負(fù)載調(diào)整率，ΔVOUT | VIN = 3.3V，VOUT = 1.80V，IOUT = IOUT_MAX 的 20% 至 IOUT_MAX 的 80%，在 1μs 內(nèi)，COUT = 2.2μF | -25 | 25 | mV | |
| 8.2.2 | VLINE_TRANSIENT | 瞬態(tài)線性調(diào)整率， ΔVOUT / VOUT |
導(dǎo)通模式，不在壓降條件下，VIN 階躍 = 600mVPP，tr = tf = 10μs | -25 | 25 | mV | |
| 8.2.2a | VLINE_REGULATION | 直流線性調(diào)整率，ΔVOUT / VOUT | VINmin ≤ VIN ≤ VINmax，IOUT = IOUTmax | -1% | 1% | ||
| 8.2.3 | NOISERMS | RMS 噪聲 | LDO 模式，f=100Hz 至 100KHz，VIN = 3.3V，VOUT = 1.8V，IOUT = 300mA | 15 | μVRMS | ||
| 8.2.4 | PSRR1KHZ | 電源紋波抑制 | LDO 模式，VIN = 3.3V，VOUT = 1.8V，IOUT = 300mA | 71 | db | ||
| 8.2.5 | PSRR10KHZ | 電源紋波抑制 | LDO 模式，VIN = 3.3V，VOUT = 1.8V，IOUT = 300mA | 64 | db | ||
| 8.2.6 | PSRR100KHZ | 電源紋波抑制 | LDO 模式，VIN = 3.3V，VOUT = 1.8V，IOUT = 300mA | 61 | db | ||
| 8.2.7 | PSRR1MHZ | 電源紋波抑制 | LDO 模式，VIN = 3.3V，VOUT = 1.8V，IOUT = 300mA | 26 | db | ||
| 8.3.1 | IOUT | 輸出電流 | 300 | mA | |||
| 8.3.2 | ICURRENT_LIMIT | 短路電流限制 | VIN = 3.6V，VOUT = 0V，在脈沖負(fù)載條件下測試 | 400 | 900 | mA | |
| 8.3.3 | IIN_RUSH | LDO 浪涌電流 | LDO 或 LSW 模式，VIN = 3.3V，然后啟用 LDO，COUT = 4μF，IOUT = 0mA 或 300mA | 650 | mA | ||
| 8.3.4 | RDISCHARGE | 僅在禁用轉(zhuǎn)換器時有效 | 120 | 250 | 400 | Ω | |
| 8.3.5a | IQ_ACTIVE | 25°C 時 ACTIVE 狀態(tài)下的靜態(tài)電流 | VVSYS = VIN = 3.3V，IOUT = 0mA 適用于 LDO 模式， TJ = 25°C |
25 | 30 | μA | |
| 8.3.5b | IQ_ACTIVE | -40°C 至 125°C 時 ACTIVE 狀態(tài)下的靜態(tài)電流 | VVSYS = VIN = 3.3V，IOUT = 0mA 適用于 LDO 模式， TJ = -40°C 至 125°C |
25 | 40 | μA | |
| 8.3.5b | IQ_ACTIVE | -40°C 至 150°C 時 ACTIVE 狀態(tài)下的靜態(tài)電流 |
VVSYS = VIN = 3.3V，IOUT = 0mA， 適用于 LDO 模式， TJ = -40°C 至 150°C |
25 | 40 | μA | |
| 8.3.5c | IQ_ACTIVE | 25°C 時 ACTIVE 狀態(tài)下的靜態(tài)電流 | VVSYS = VIN = 3.3V，IOUT = 0mA 適用于 LSW 模式， TJ = 25°C |
60 | 112 | μA | |
| 8.3.5d | IQ_ACTIVE | -40°C 至 125°C 時 ACTIVE 狀態(tài)下的靜態(tài)電流 | VVSYS = VIN = 3.3V，IOUT = 0mA 適用于 LSW 模式， TJ = -40°C 至 125°C |
70 | 145 | μA | |
| 8.3.5d | IQ_ACTIVE | -40°C 至 150°C 時 ACTIVE 狀態(tài)下的靜態(tài)電流 |
VVSYS = VIN = 3.3V，IOUT = 0mA， 適用于 LSW 模式， TJ = -40°C 至 150°C |
70 | 145 | μA | |
| 8.4.1 | CIN | 輸入濾波電容 (2) | 2.2 | 4.7 | μF | ||
| 8.4.2 | COUT | 輸出濾波電容(2) | 從 VLDOx 連接到 GND，LDO 模式 | 1.6 | 2.2 | 4 | μF |
| 8.4.3a | COUT_TOTAL_FAST | 輸出端的總電容（本地 + POL），快速斜坡時間(3) | 1MHz < f < 10MHz，輸出和負(fù)載點(diǎn)之間的阻抗最大為 6nH | 15 | μF | ||
| 8.4.3b | COUT_TOTAL_SLOW | 輸出端的總電容（本地 + POL），慢速斜坡時間(3) | 1MHz < f < 10MHz，輸出和負(fù)載點(diǎn)之間的阻抗最大為 6nH | 30 | μF | ||
| 8.4.4 | CESR | 濾波電容 ESR 最大值 | 1MHz 至 10MHz | 10 | 20 | mΩ | |
| 時序要求 | |||||||
| 8.5.1a | tRAMP_FAST | 快速斜坡時間 | 從使能到目標(biāo)值的 98% 測得，LDO 模式，在單獨(dú)啟用時進(jìn)行測量，假設(shè)沒有殘余電壓 | 660 | μs | ||
| 8.5.1b | tRAMP_SLOW | 慢速斜坡時間 | 從使能到目標(biāo)值的 98% 測得，LDO 模式，在單獨(dú)啟用時進(jìn)行測量，假設(shè)沒有殘余電壓 | 2.3 | ms | ||
| 8.5.2a | tRAMP_SLEW_FAST | 快速斜升壓擺率 | LDO 或 LSW 模式，從 0.5V 到目標(biāo)值測得 | 25 | mV/μs | ||
| 8.5.2b | tRAMP_SLEW_SLOW | 慢速斜升壓擺率 | LDO 或 LSW 模式，從 0.5V 到目標(biāo)值測得 | 9 | mV/μs | ||