可檢測的故障

TPS65219 提供各種故障檢測。默認情況下，所有這些故障都會導致定序關斷。其中一些是可屏蔽的，并且對已屏蔽故障的反應是可配置的。

該器件在電源電壓 (VSYS) 和內(nèi)部電源電壓 (VDD1P8) 上提供以下故障檢測：

• VSYS 上的欠壓，導致轉換到 OFF 狀態(tài)或門控啟動
• VSYS 上的過壓保護，導致轉換到 OFF 狀態(tài)
• 內(nèi)部 1.8V 電源 (VDD1P8) 上的欠壓或過壓，導致轉換到 OFF 狀態(tài)或門控啟動。

這些故障均不可屏蔽。

TPS65219 在降壓和 LDO 輸出端提供以下故障檢測：

• 欠壓檢測 (UV)
• 過流檢測 (OC)，達到正電流限值和（對于降壓轉換器）負電流限值時觸發(fā)
• 接地短路檢測 (SCG)
• 溫度警告 (WARM) 和熱關斷 (TSD / HOT)
• 殘余電壓 (RV) 和殘余電壓 - 關斷 (RV_SD)
• 超時 (TO)

對 UV、RV 和 WARM 故障的反應是可配置的。如果未屏蔽，故障會觸發(fā)定序關斷?？梢栽?INT_MASK_BUCKS、INT_MASK_LDOS 和 INT_MASK_WARM 寄存器中為每個穩(wěn)壓器單獨屏蔽 UV、RV 和 WARM。在發(fā)生屏蔽故障的情況下不會進行狀態(tài)轉換。可以通過 MASK_CONFIG 寄存器中的 MASK_EFFECT 位全局配置是否設置了位以及 nINT 是否拉至低電平。每個穩(wěn)壓器的正負電流限值共用同一掩碼位。

• 00b = 無狀態(tài)變化，無 nINT 反應，未設置位
• 01b = 無狀態(tài)變化，無 nINT 反應，設置了位
• 10b = 無狀態(tài)變化，nINT 反應，設置了位（與 11b 相同）
• 11b = 無狀態(tài)變化，nINT 反應，設置了位（與 10b 相同）

對于任何與關斷條件對應的故障，故障位將保持有效狀態(tài)，直到通過 I2C 執(zhí)行 W1C（寫 1 清除）操作（假設故障不再存在）。如果出現(xiàn)關斷故障，則無需更新 ON 請求。如果只要 EN/VSENSE 仍為高電平并且無需按下按鈕即可重新啟動，故障就不再存在，那么該器件會自動執(zhí)行上電序列。

對于任何非關斷條件的故障（例如，因為故障被屏蔽），該位在進入 INITIALIZE 狀態(tài)時被清除。

熱警告和熱關斷

有兩個熱閾值：熱警告 (WARM) 和熱關斷 (TSD / HOT)。

• 熱警告，WARM 閾值：
• 如果溫度超過 T_{WARM_Rising} 閾值，則會設置 SENSOR_x_WARM 位并且 PMIC 會定序關閉（除非被屏蔽）。
• 如果溫度降至 T_{WARM_Falling} 閾值以下，器件將再次上電，并且沒有新的 Push-button-ON_Request。在 EN 或 VSENSE 配置中，ON 請求仍必須有效才能轉換為 ACTIVE 狀態(tài)。
• 如果溫度超過 T_{WARM_Rising} 閾值，但設置了 SENSOR_x_WARM_MASK 位，PMIC 仍處于 ACTIVE 狀態(tài)。故障報告由 MASK_EFFECT 位配置。處理器決定是定序關斷還是控制正在運行的應用程序，從而降低功耗并有望避免熱關斷情況。
• 熱關斷，HOT 閾值，在 WARM 閾值被屏蔽時適用：
• 如果溫度超過 T_{HOT_Rising} 閾值，則會設置 SENSOR_x_HOT 位，并且 PMIC 會立即關斷所有電源軌。這種關斷是同時進行，而不是按時序進行。
• 如果所有傳感器都屏蔽了 WARM 檢測（設置了所有 SENSOR_x_WARM_MASK 位），那么一旦溫度降至 T_{HOT_Falling} 閾值以下，PMIC 即會重新上電，前提是存在有效的 ON 請求。
• 如果其中任一傳感器未屏蔽 WARM 檢測，那么一旦溫度降至 T_{WARM_Falling} 閾值以下，PMIC 即會重新上電，并且沒有新的 Push-button-ON_Request。在 EN 或 VSENSE 配置中，ON 請求仍必須有效才能轉換為 ACTIVE 狀態(tài)。

殘余電壓

系統(tǒng)會在各種情況下執(zhí)行殘余電壓檢查：在啟動 INITIALIZE 到 ACTIVE 轉換之前以及電源軌啟用前的任何時間，無論在序列期間、通過 I2C 命令還是在 STBY 到 ACTIVE 轉換期間。序列期間還會執(zhí)行 RV 檢查，以檢測應被禁用的電源軌是否被另一電源軌上拉。RV 故障的處理取決于故障發(fā)生時的情況：

• INITIALIZE 轉換到 ACTIVE：
  • 如果在執(zhí)行序列之前檢測到殘余電壓超過 4ms 至 5ms，則會在 INT_SOURCE 寄存器中設置 INT_RV_IS_SET 位，以及在 INT_RV 寄存器中設置 LDOx_RV 或 BUCKx_RV 位，即使稍后放電成功并執(zhí)行 ON 請求，也保持置位狀態(tài)。
  • 如果在序列期間檢測到殘余電壓，則會構成關斷故障：器件在時隙持續(xù)時間結束時啟動斷電序列。該器件會在 INT_SOURCE 寄存器中設置 INT_TIMEOUT_RV_SD_IS_SET 位，并在 INT_TIMEOUT_RV_SD 寄存器中設置 LDOx_RV_SD 或 BUCKx_RV_SD 位以及 TIMEOUT 位。
• ACTIVE 轉換到 STBY：
  • 如果啟用了有源放電并且在斷電時隙持續(xù)時間的八倍后檢測到殘余電壓，則會構成關斷故障：器件會在時隙結束時定序關斷。該器件會在 INT_SOURCE 寄存器中設置 INT_TIMEOUT_RV_SD_IS_SET 位，并在 INT_TIMEOUT_RV_SD 寄存器中設置 LDOx_RV_SD 或 BUCKx_RV_SD 位以及 TIMEOUT 位。
  • 如果在序列期間檢測到殘余電壓，則會構成關斷故障：器件會在時隙持續(xù)時間結束時定序關斷，并在 INT_SOURCE 寄存器中設置 INT_TIMEOUT_RV_SD_IS_SET 位，以及在 INT_TIMEOUT_RV_SD 寄存器中設置 LDOx_RV_SD 或 BUCKx_RV_SD 位。
• STBY 轉換到 ACTIVE：
  • 如果在執(zhí)行序列之前檢測到殘余電壓超過 4ms 至 5ms，則器件會在 INT_SOURCE 寄存器中設置 INT_RV_IS_SET 位，并在 INT_RV 寄存器中設置 LDOx_RV 或 BUCKx_RV 位。即使在超時到期之前放電成功并且執(zhí)行 STBY 轉換到 ACTIVE 序列，該位也會保持設置狀態(tài)。
  • 如果在執(zhí)行序列之前檢測到殘余電壓超過 80ms，則會構成關斷故障：器件會定序關斷，并在 INT_SOURCE 寄存器中設置 INT_TIMEOUT_RV_SD_IS_SET 位，以及在 INT_TIMEOUT_RV_SD 寄存器中設置 LDOx_RV_SD 或 BUCKx_RV_SD 位。此外，器件還會在 INT_TIMEOUT_RV_SD 寄存器中設置 TIMEOUT 位。
  • 如果在序列期間檢測到殘余電壓，則會構成關斷故障：器件會在時隙持續(xù)時間結束時定序關斷，并在 INT_SOURCE 寄存器中設置 INT_TIMEOUT_RV_SD_IS_SET 位，以及在 INT_TIMEOUT_RV_SD 寄存器中設置 LDOx_RV_SD 或 BUCKx_RV_SD 位。在這種情況下，不設置 TIMEOUT 位。
• ACTIVE 轉換到 INITIALIZE 或 STBY 轉換到 INITIALIZE
  • 如果在相應電源軌的斷電時隙持續(xù)時間結束時檢測到殘余電壓，則會在長達八個時隙持續(xù)時間內(nèi)限制后續(xù)電源軌的禁用，但無論殘余電壓如何，電源序列都會繼續(xù)。在這種情況下，不會設置任何位。
• RV 位的屏蔽
  • 在殘余電壓檢測情形中，nINT 引腳反應可以通過 MASK_CONFIG 寄存器中的 BUCKx_RV 位或 MASK_INT_FOR_RV 位進行屏蔽。
  • 在殘余電壓檢測情形中，位和關斷故障反應都不可通過 LDOx_RV_SD 或 BUCKx_RV_SD 位進行屏蔽。
• Timeout
  • 如果殘余電壓不能及時放電，則會發(fā)生超時。設置 INT_TIMEOUT_RV_SD 寄存器中的 TIMEOUT 位。詳情請參見上文。

*) RV_SD 和 TIMEOUT 故障只能在序列期間發(fā)生