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ZHCSOG4D November 2023 – April 2025 TPS6287B10 , TPS6287B15 , TPS6287B20 , TPS6287B25 , TPS6287B30

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數據 (封裝 | 引腳)

RZV|24
- MPQF690A

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

訂購信息

10.2.2.2 選擇輸入電容器

與所有降壓轉換器一樣，TPS62A2x-Q1 器件的輸入電流是不連續的。輸入電容器為器件提供低阻抗能源，值、類型和位置對于正確運行至關重要。TI 建議使用低 ESR 多層陶瓷電容器，以便實現理想性能。實際上，總輸入電容通常包括不同電容器的組合，其中較大的電容器在較低頻率下提供去耦，而較小的電容器在較高頻率下提供去耦。

TPS62A2x-Q1 器件采用蝶形布局，兩個 VIN 引腳對位于封裝的兩個相對側。這使得輸入電容器可以對稱地放置在 PCB 上，以使生成的電磁場相互抵消，從而降低 EMI。

轉換器的占空比由以下公式給出：

方程式 8.

D = \frac{V_{O U T}}{η {\times V}_{I N}}

其中：

V_IN 是輸入電壓
V_OUT 是輸出電壓
η 是效率

方程式 9.

D = \frac{1.2}{0.9 \times 3.3} = 0.404

滿足輸入電壓紋波要求所需的輸入電容值由以下公式給出：

方程式 10.

C_{I N} = \frac{D \times (1 - D) \times I_{O U T}}{V_{I N (P P)} {\times f}_{s w}}

其中：

D 為占空比
f_sw 是開關頻率
V_IN(PP) 是輸入電壓紋波
I_OUT 是輸出電流

方程式 11.

C_{I N} = \frac{0.404 \times (1 - 0.404) \times 11}{0.1 \times 2.5 \times 10^{6}} F = 10.6 μ F

通過方程式 10 計算得出的 C_IN 值是考慮所有降額、容差和老化影響后的有效電容。TI 建議 C_IN 使用具有 X7R 電介質（或類似介質）的多層陶瓷電容器，并且這些電容器必須盡可能靠近 VIN 和 GND 引腳放置，以盡量減小環路面積。

表 10-3 列出了多個適合該應用的電容器。然而，該列表并不詳盡，其他制造商提供的其他電容器也可能適用。

表 10-3 建議的輸入電容器列表

電容	尺寸	電壓額定值	制造商，器件型號
電容	mm（英寸）	電壓額定值	制造商，器件型號
470nF ±10%	1005 (0402)	10V	Murata，GCM155C71A474KE36D
470nF ±10%	1005 (0402)	10V	TDK，CGA2B3X7S1A474K050BB
10μF ±10%	2012 (0805)	10V	Murata，GCM21BR71A106KE22L
10μF ±10%	2012 (0805)	10V	TDK，CGA4J3X7S1A106K125AB
22μF ±10%	3216 (1206)	10V	Murata，GCM31CR71A226KE02L
22μF ±20%	3216 (1206)	10V	TDK，CGA5L1X7S1A226M160AC