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ZHCSQI6D May 2022 – January 2025 TPS62870-Q1 , TPS62871-Q1 , TPS62872-Q1 , TPS62873-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數據 (封裝 | 引腳)

RXS|16
- MPQF606D

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

訂購信息

10.2.2.2 選擇輸入電容器

與所有降壓轉換器一樣，TPS6287x-Q1 器件的輸入電流是不連續的。輸入電容器為器件提供低阻抗能源，值、類型和位置對于正確運行至關重要。TI 建議使用低 ESR 多層陶瓷電容器，以便實現理想性能。實際上，總輸入電容通常包括不同電容器的組合，其中較大的電容器在較低頻率下提供去耦合，而較小的電容器在較高頻率下提供去耦合。

TPS6287x-Q1 器件采用蝶形布局，兩對 VIN 和 GND 引腳位于封裝的兩個相對側。這使得輸入電容器可以對稱地放置在 PCB 上，以使產生的電磁場相互抵消，從而降低 EMI。

轉換器的占空比由以下公式給出：

方程式 7.

D = \frac{V_{O U T}}{η {\times V}_{I N}}

其中

V_IN 是輸入電壓。
V_OUT 是輸出電壓。
η 是效率。

方程式 8.

D = \frac{0.75}{0.9 \times 3.3} = 0.253

滿足輸入電壓紋波要求所需的輸入電容值由以下公式給出：

方程式 9.

C_{I N} = \frac{D \times (1 - D) \times I_{O U T}}{V_{I N (P P)} {\times f}_{s w}}

其中

D 為占空比。
f_SW 為開關頻率。
L 是電感。
I_OUT 是輸出電流。

100mV 用作輸入電壓紋波目標。

方程式 10.

C_{I N} = \frac{0.253 \times (1 - 0.253) \times 11.3}{0.1 \times 2.25 \times 10^{6}} = 9.5 μ F

通過方程式 9 計算得出的 C_IN 值是考慮所有降額、容差和老化影響后的有效電容。每個輸入引腳需要 5μF 有效電容。TI建議 C_IN 使用具有 X7R 電介質（或類似介質）的多層陶瓷電容器，并且這些電容器必須盡可能靠近 VIN 和 GND 引腳放置，以盡量減小環路面積。

表 10-4 列出了多個非常適合該應用的電容器。該列表并不詳盡，其他制造商提供的其他電容器也可能非常適用。

表 10-3 建議的輸入電容器列表

電容	尺寸	電壓額定值	制造商器件型號⁽¹⁾
電容	mm（英寸）	電壓額定值	制造商器件型號⁽¹⁾
470nF ±10%	1005 (0402)	10V	Murata，GCM155C71A474KE36D
470nF ±10%	1005 (0402)	10V	TDK，CGA2B3X7S1A474K050BB
10μF ±10%	2012 (0805)	10V	Murata，GCM21BR71A106KE22L
10μF ±10%	2012 (0805)	10V	TDK，CGA4J3X7S1A106K125AB
22μF ±10%	3216 (1206)	10V	Murata，GCM31CR71A226KE02L
22μF ±20%	3216 (1206)	10V	TDK，CGA5L1X7S1A226M160AC

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