日韩精品久久中文网,成人无码AV一区二区三区,日韩综合一区二卡三卡死四卡

ZHCSIN0K August 2018 – July 2025 TPS62810-Q1 , TPS62811-Q1 , TPS62812-Q1 , TPS62813-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數據 (封裝 | 引腳)

RWY|9
- MPQF509B

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

RWY|9
- QFND653

訂購信息

6.5 電氣特性

在工作結溫范圍內（T_J = -40°C 至 +150°C）且 V_IN = 2.75V 至 6V。V_IN = 5V 且 T_J = 25°C 時的典型值。（除非另有說明）

參數		測試條件		最小值	典型值	最大值	單位
電源
I_Q	工作靜態電流	EN = 高電平，I_OUT= 0mA，器件未開關， T_J = 125°C				21	μA
I_Q	工作靜態電流	EN = 高電平，I_OUT= 0mA，器件未開關			15	30	μA
I_SD	關斷電流	EN = 0V，T_J = 125°C				18	μA
I_SD	關斷電流	EN = 0V，T_J = 25°C 時的標稱值， T_J = 150°C 時的最大值			1.5	26	μA
V_UVLO	欠壓鎖定閾值	輸入電壓上升		2.5	2.6	2.75	V
V_UVLO	欠壓鎖定閾值	輸入電壓下降		2.25	2.5	2.6	V
T_SD	熱關斷溫度	結溫上升			170		°C
T_SD	熱關斷遲滯				15		°C
控制（EN、SS/TR、PG、MODE/SYNC）
V_IH	MODE/SYNC 引腳上的高電平輸入電壓			1.1			V
V_IL	MODE/SYNC 引腳上的低電平輸入電壓					0.3	V
f_SYNC	MODE/SYNC 引腳上用于同步的頻率范圍	在 COMP/FSET 和 GND 之間需要一個電阻器，請參閱應用部分		1.8		4	MHz
	MODE/SYNC 引腳上同步信號的占空比			20%	50%	80%
	鎖定到外部頻率所需的時間				50		μs
V_IH	EN 引腳的輸入閾值電壓；上升沿			1.06	1.1	1.15	V
V_IL	EN 引腳的輸入閾值電壓；下降沿			0.96	1.0	1.05	V
I_LKG	EN、MODE/SYNC 的輸入漏電流	V_IH = V_IN 或 V_IL= GND				150	nA
	用于實現邏輯低電平的 COMP/FSET 至 GND 電阻	f = 2.25MHz 時的內部頻率設置		0		2.5	kΩ
	COMP/FSET 上用于實現邏輯高電平的電壓	f = 2.25MHz 時的內部頻率設置			VIN		V
V_{TH_PG}	UVP 電源正常閾值電壓；直流電平	上升 (%V_FB)		92%	95%	98%
	UVP 電源正常閾值電壓；直流電平	下降 (%V_FB)		87%	90%	93%
	OVP 電源正常閾值；直流電平	上升 (%V_FB)		107%	110%	113%
	OVP 電源正常閾值；直流電平	下降 (%V_FB)		104%	107%	111%
	電源正常抗尖峰脈沖時間	對于電源正常狀態下從高電平到低電平的轉換			40		μs
V_{OL_PG}	電源正常狀態輸出低電平電壓	I_PG = 2mA			0.07	0.3	V
I_{LKG_PG}	輸入漏電流 (PG)	V_PG= 5V				100	nA
I_SS/TR	SS/TR 引腳拉電流			2.1	2.5	2.8	μA
	跟蹤增益	標稱 V_FB = 0.6V 時的 V_FB / V_SS/TR			1
	跟蹤失調電壓	標稱 V_FB = 0.6V、V_SS/TR = 0V 時的反饋電壓			17		mV
電源開關
R_DS(ON)	高側 MOSFET 導通電阻	V_IN≥ 5V			37	60	mΩ
R_DS(ON)	低側 MOSFET 導通電阻	V_IN≥ 5V			15	35	mΩ
	高側 MOSFET 漏電流	V_IN = 6V；V(SW) = 0V				30	μA
	低側 MOSFET 漏電流	V(SW) = 6V				55	μA
	SW 漏電流	V(SW) = 0.6V；流入 SW 引腳的電流		-0.025		30	μA
I_LIMH	高側 MOSFET 電流限制	直流值，適用于 TPS62810；V_IN = 3V 至 6V		4.8	5.6	6.55	A
I_LIMH	高側 MOSFET 電流限制	直流值，適用于 TPS62813；V_IN = 3V 至 6V		3.9	4.5	5.25	A
I_LIMH	高側 MOSFET 電流限制	直流值，適用于 TPS62812；V_IN = 3V 至 6V		2.8	3.4	4.2	A
I_LIMH	高側 MOSFET 電流限制	直流值，適用于 TPS62811；V_IN = 3V 至 6V		2.0	2.6	3.25	A
I_LIMNEG	負谷值電流限制	直流值			-1.8		A
f_S	PWM 開關頻率范圍			1.8	2.25	4	MHz
f_S	PWM 開關頻率	COMP/FSET 連接到 VIN 或 GND		2.025	2.25	2.475	MHz
	PWM 開關頻率容差	使用 COMP/FSET 到 GND 之間的電阻器，fs = 1.8MHz 到 4MHz		-19%		18%
t_on,min	HS FET 的最短導通時間	T_J = –40°C 至 125°C，V_IN= 3.3V			50	75	ns
t_on,min	LS FET 的最短導通時間	V_IN= 3.3V			30		ns
輸出
V_FB	反饋電壓	可調節輸出電壓版本			0.6		V
V_FB	反饋電壓	固定輸出電壓 TPS6281302			0.8		V
V_FB	反饋電壓	固定輸出電壓 TPS6281206、TPS6281126、TPS6281326、TPS6281006			1.0		V
V_FB	反饋電壓	固定輸出電壓 TPS6281208、TPS6281008、TPS6281228			1.1		V
V_FB	反饋電壓	固定輸出電壓 TPS6281109			1.15		V
V_FB	反饋電壓	固定輸出電壓 TPS628110A、TPS628112A、TPS628122A、TPS628130A			1.2		V
V_FB	反饋電壓	固定輸出電壓 TPS628132D			1.35		V
V_FB	反饋電壓	固定輸出電壓 TPS628122G			1.5		V
V_FB	反饋電壓	固定輸出電壓 TPS628112M、TPS628120M、TPS628132D、TPS628100M、TPS628132M			1.8		V
V_FB	反饋電壓	固定輸出電壓 TPS628113H			3.3		V
I_{LKG_FB}	FB 輸入漏電流，可調電壓版本	V_FB = 0.6V			1	70	nA
I_{LKG_FB}	FB 輸入電流，固定電壓版本	目標輸出電壓下的 V_FB 電壓			1		μA
V_FB	可調電壓版本的反饋電壓精度	V_IN ≥ V_OUT + 1V	PWM 模式	-1%		1%
V_FB	固定電壓版本的反饋電壓精度	V_IN ≥ V_OUT + 1V	PWM 模式，Tj = –40°C 至 125°C	-1%		1%
V_FB	固定電壓版本的反饋電壓精度	V_IN ≥ V_OUT + 1V	PWM 模式	-1%		1.3%
V_FB	反饋電壓精度	V_IN ≥ V_OUT + 1V； V_OUT ≥ 1.5V	PFM 模式； Co,eff ≥ 22μF， L = 0.47μH	-1%		2%
V_FB	反饋電壓精度	1V ≤ V_OUT < 1.5V	PFM 模式； Co,eff ≥ 47μF， L = 0.47μH	-1%		2.5%
V_FB	反饋電壓精度，帶電壓跟蹤	V_IN ≥ V_OUT + 1V； V_SS/TR = 0.3V	PWM 模式	-1%		7%
	負載調整率	PWM 模式運行			0.05		%/A
	線路調整	PWM 模式運行，I_OUT= 1A，V_IN ≥ V_OUT + 1V			0.02		%/V
	輸出放電電阻					50	Ω
t_delay	啟動延遲時間	I_OUT = 0mA，從 EN = 高電平到開始開關的時間；已施加 V_IN		135	250	470	μs
t_ramp	斜坡時間；SS/TR 引腳開路	I_OUT = 0mA，從第一次開關脈沖到標稱輸出電壓 95% 的時間；器件未處于電流限制狀態		100	150	200	μs