對(duì)于所有開(kāi)關(guān)電源，尤其是以高開(kāi)關(guān)頻率和高電流運(yùn)行的開(kāi)關(guān)電源，布局設(shè)計(jì)是一個(gè)重要的設(shè)計(jì)步驟。如果未仔細(xì)布局，穩(wěn)壓器可能會(huì)出現(xiàn)不穩(wěn)定和噪聲問(wèn)題。
- 將 0.1μF 小型封裝 (0402) 陶瓷電容器靠近 VIN/VOUT 引腳放置，可更大限度地減少高頻電流環(huán)路。這可以改善高頻噪聲 (EMI) 的輻射并提高效率。
- 在 PGND 引腳附近使用多個(gè) GND 過(guò)孔將 PGND 連接到內(nèi)部接地平面。這也改善了熱性能。
- 應(yīng)盡量減小 SW1 和 SW2 環(huán)路區(qū)域，因?yàn)樗鼈兪歉?dv/dt 節(jié)點(diǎn)。在開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器下方使用接地層，可更大限度地減少層間耦合。
- 電流檢測(cè)信號(hào) ISP 和 ISN 與 RSENSE 之間采用開(kāi)爾文連接，從 RSENSE 端子到 IC 引腳之間平行布線(xiàn)。將電流檢測(cè)信號(hào)的濾波電容器盡可能靠近 IC 引腳放置。
- 將 BOOT1 自舉電容器靠近 IC 放置，并直接連接到 BOOT1 與 SW1 引腳。將 BOOT2 自舉電容器靠近 IC 放置，并直接連接到 BOOT2 與 SW2 引腳。
- 將 VCC 電容器靠近 IC 放置，使用寬而短的跡線(xiàn)。VCC 電容器的 GND 端子應(yīng)通過(guò)三到四個(gè)過(guò)孔直接連接到 PGND 平面。
- 將電源接地與模擬接地隔離。PGND 平面和 AGND 平面在 VCC 電容器的端子上連接。因此，由 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器和寄生電感引起的噪聲不會(huì)影響到 AGND 和內(nèi)部控制電路。
- 補(bǔ)償元件應(yīng)盡量靠近 COMP 引腳放置。將補(bǔ)償元件、反饋元件和其他敏感模擬電路遠(yuǎn)離電源元件、開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn) SW1 和 SW2 以及高電流布線(xiàn)，防止噪聲耦合到模擬信號(hào)中。
- 為了提高熱性能，建議在 TPS551892-Q1 下方使用散熱過(guò)孔，將 VIN 引腳連接到較大的 VIN 區(qū)域，將 VOUT 引腳連接到較大的 VOUT 區(qū)域。