ZHCSXK5 September 2024 TPS26750
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。
LDO_1V5(引腳 4)、LDO_3V3(引腳 1)和 VIN_3V3(引腳 32)
LDO_3V3、LDO_1V5 和 VIN_3V3 的去耦電容器(分別為 C15、C16 和 C17)需要盡可能靠近 TPS26750 器件放置,以實現卓越性能。為了盡可能減小解決方案尺寸,該示例將去耦電容器放置在底層,其接地焊盤位于 TPS26750 接地焊盤的正下方。如果將 TPS26750 與去耦電容器放置在不同的層上,則每個引腳最多使用一個過孔。至少使用 10mil 的布線寬度來布置這三個布線,如果可能,最好使用 16mil 的布線寬度。
CC1(引腳 24)和 CC2(引腳 25)
CC1 (C11) 和 CC2 (C10) 電容需要盡可能靠近各自的引腳放置,并與 TPS26750 器件位于同一層。進行 CCx 布線時,不要通過孔連接到 TPS26750 的 CCx 引腳與 CCx 電容器之間的另一層。檢查以確保 CCx 電容器不會放置在構成天線的 CC 布線之外,而是使布線直接穿過 CCx 電容器焊盤,如示例布局中所示(請參閱圖 10-21)。至少使用 10mil 的布線寬度來確保支持 Vconn (5V/0.6A)。