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ZHCSXK5 September 2024 TPS26750

PRODUCTION DATA

封裝選項

請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。

機械數據 (封裝 | 引腳)

RSM|32

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

RSM|32
- QFND112H

訂購信息

5.18 I2C 要求和特性

在這些條件下運行（除非另有說明）：3.0V ≤ V_{VIN_3V3} ≤ 3.6V

參數		測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
I2Ct_IRQ
OD_VOL_IRQ	低電平輸出電壓	I_OL = 2mA			0.4	V
OD_LKG_IRQ	漏電流	輸出為高阻態，V_{I2Cx_IRQ} = 3.45V	-1		1	μA
I2Cc_IRQ
IRQ_VIH	高電平輸入電壓	V_{LDO_3V3} = 3.3V	1.3			V
IRQ_VIH_THRESH	高電平輸入電壓閾值	V_{LDO_3V3} = 3.3V	0.72		1.3	V
IRQ_VIL	低電平輸入電壓	V_{LDO_3V3} = 3.3V			0.54	V
IRQ_VIL_THRESH	低電平輸入電壓閾值	V_{LDO_3V3} = 3.3V	0.54		1.08	V
IRQ_HYS	輸入遲滯電壓	V_{LDO_3V3} = 3.3V	0.09			V
IRQ_DEG	輸入抗尖峰脈沖			20		ns
IRQ_ILKG	I2Cc_IRQ 漏電流	V_{I2Cc_IRQ} = 3.45V	-1		1	μA
SDA 和 SCL 常見特性（控制器、目標）
V_IL	輸入低電平信號	V_{LDO_3V3} = 3.3V			0.54	V
I_OL	最大輸出低電平電流	V_OL = 0.4V	15			mA
I_OL	最大輸出低電平電流	V_OL = 0.6V	20			mA
t_f	從 0.7 × V_DD 到 0.3 × V_DD 的下降時間	V_DD = 1.8V，10pF ≤ C_b ≤ 400pF	12		80	ns
t_f	從 0.7 × V_DD 到 0.3 × V_DD 的下降時間	V_DD = 3.3V，10pF ≤ C_b ≤ 400pF	12		150	ns
t_SP	I²C 脈寬被抑制				50	ns
C_b	每個總線的容性負載（外部）				400	pF
SDA 和 SCL 標準模式特性（目標）
f_SCLS	目標的時鐘頻率	V_DD = 1.8V 或 3.3V			100	kHz
t_VD;DAT	有效數據時間	發送數據，V_DD = 1.8V 或 3.3V，SCL 低電平至 SDA 輸出有效			3.45	μs
t_VD;ACK	ACK 條件的有效數據時間	發送數據，V_DD = 1.8V 或 3.3V，ACK 信號從 SCL 低電平至 SDA（輸出）低電平			3.45	μs
SDA 和 SCL 快速模式特性（目標）
f_SCLS	目標的時鐘頻率	V_DD = 1.8V 或 3.3V	100		400	kHz
t_VD;DAT	有效數據時間	發送數據，V_DD = 1.8V，SCL 低電平至 SDA 輸出有效			0.9	μs
t_VD;ACK	ACK 條件的有效數據時間	發送數據，V_DD = 1.8V 或 3.3V，ACK 信號從 SCL 低電平至 SDA（輸出）低電平			0.9	μs
f_SCLS	快速+ 模式的時鐘頻率⁽¹⁾	V_DD = 1.8V 或 3.3V	400		800	kHz
t_VD;DAT	有效數據時間	發送數據，V_DD = 1.8V 或 3.3V，SCL 低電平至 SDA 輸出有效			0.55	μs
t_VD;ACK	ACK 條件的有效數據時間	發送數據，V_DD = 1.8V 或 3.3V，ACK 信號從 SCL 低電平至 SDA（輸出）低電平			0.55	μs
t_LOW	時鐘低電平時間	V_DD = 3.3V	1.3			μs
t_HIGH	時鐘高電平時間	V_DD = 3.3V	0.6			μs

(1) 控制器必須控制 fSCLS 以確保 TLOW > tVD；ACK。