ZHCSK91A August 2019 – September 2019 TPS23882
PRODUCTION DATA.
命令 = 0Ah，帶 1 個數(shù)據(jù)字節(jié)，只讀
命令 = 0Bh，帶 1 個數(shù)據(jù)字節(jié)，讀取時清除
高電平有效，每個位對應(yīng)于發(fā)生的特定事件。
每個位置（0Ah 或 0Bh）的讀取會返回相同的寄存器數(shù)據(jù)，但“讀取時清除”命令會清除寄存器的所有位。
如果該寄存器導(dǎo)致 INT 引腳被激活，則此“讀取時清除”將釋放 INT 引腳。
任何有效位都會對中斷寄存器產(chǎn)生影響，如中斷寄存器 說明中所述。
| 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
| TSD | VDUV | VDWRN | VPUV | 保留 | 保留 | OSSE | RAMFLT |
| R | R | R | R | R | R | R | R |
| CR | CR | CR | CR | CR | CR | CR | CR |
| 說明：R/W = 讀取/寫入；R = 只讀；CR = 讀取時清除；-n = 復(fù)位后的值 |
| 位 | 字段 | 類型 | POR/RST | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 7 | TSD | R 或 CR | 0/P | 表示發(fā)生了熱關(guān)斷。發(fā)生熱關(guān)斷時，所有通道都會關(guān)閉并進入關(guān)閉模式。不過， 內(nèi)部電路繼續(xù)工作，包括 ADC。注意，只要內(nèi)部溫度降低到低閾值以下，無論 TSD 位的狀態(tài)如何，都可能重新開啟通道。
1 = 發(fā)生了熱關(guān)斷 0 = 未發(fā)生熱關(guān)斷 |
| 6 | VDUV | R 或 CR | 1 / P | 表示發(fā)生了 VDD UVLO。
1 = 發(fā)生了 VDD UVLO 0 = 未發(fā)生 VDD UVLO |
| 5 | VDWRN | R 或 CR | 1 / P | 表示 VDD 已降至 UVLO 警告閾值以下。
1 = 發(fā)生了 VDD UV 警告 0 = 未發(fā)生 VDD UV 警告 |
| 4 | VPUV | R 或 CR | 1 / P | 表示發(fā)生了 VPWR 欠壓。
1 = 發(fā)生了 VPWR 欠壓 0 = 未發(fā)生 VPWR 欠壓 |
| 3-2 | 保留 | R 或 CR | 0 / 0 | 保留 |
| 1 | OSSE | R 或 CR | 0 / 0 | 表示發(fā)生了 OSS 事件
1 = 由于 OSS 引腳置位或提供了 3 位 OSS 代碼，因此一組（4 個）通道的一個或多個通道被禁用 0 = 未發(fā)生 OSS 事件 |
| 0 | RAMFLT | R 或 CR | 0 / 0 | 表示發(fā)生了 SRAM 故障
1 = 發(fā)生了 SRAM 故障 0 = 未發(fā)生 SRAM 故障 |
空白
NOTE
RST 條件“P”表示在使用 RESET 引腳復(fù)位器件后將保留這些位的先前狀態(tài)。因此，將 RESET 輸入拉低不會清除 TSD、VDUV、VDWRN 或 VPUV 位。
NOTE
當設(shè)置了 VPUV 位時，所有 PWONn 命令都將被忽略，直到 VVPWR 超過 30V 為止。
在 VPUV 欠壓狀態(tài)期間，不會清除檢測事件寄存器（CLSCn、DETCn），除非 VPWR 也降至低于 VPWR UVLO 下降閾值（大約 18V）。
只要保持 VPWR 欠壓狀態(tài)，“讀取時清除”就無法有效清除 VDUV 位。
NOTE
在 1 位模式下（寄存器 0x17 中的 MbitPrty = 0），只要一組（4 個）通道中的某個通道啟用 OSS 并且 OSS 引腳置位，就會設(shè)置 OSSE 位。
在 3 位模式下（寄存器 0x17 中的 MbitPrty = 1），只要發(fā)送 3 位優(yōu)先級代碼并且該優(yōu)先級代碼大于或等于一組通道（4 個）的寄存器 0x27 和 0x28 中的 MBPn 設(shè)置，就會設(shè)置 OSSE 位。
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