ZHCSDR6 May 2015 TLV713P-Q1
PRODUCTION DATA.
11 器件和文檔支持
11.1 器件支持
11.1.1 開發支持
11.1.1.1 評估模塊
有三個評估模塊 (EVM) 可與 TLV713P-Q1 配套使用，幫助評估初始電路性能：
這些 EVM 預裝有采用 DQN 封裝的商業版器件，不過可以用于參數評估。 這些 EVM 可從德州儀器 (TI) 網站上的器件產品文件夾獲取，也可直接從 TI 網上商店購買。
11.1.1.2 Spice 模型
分析模擬電路和系統的性能時，使用 SPICE 模型對電路性能進行計算機仿真非常有用。 您可以從產品文件夾中的工具和軟件下獲取 TLV713P-Q1 的 SPICE 模型。
11.1.2 器件命名規則
Table 4. 訂購信息(1)(2)
| 產品 | VOUT |
|---|---|
| TLV713PxxPQyyyzQ1 | xx 為標稱輸出電壓。 對于分辨率為 100mV 的輸出電壓，訂貨編號中使用兩位數字（例如，28 = 2.8V）。 P 為可選項；P 表示器件具有一個帶有源輸出放電功能的 LDO 穩壓器。 yyy 為封裝標識符。 z 為封裝數量。 R 表示卷（3000 片），T 表示帶（250 片）。 |
11.3 社區資源
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TI E2E™ Online Community TI's Engineer-to-Engineer (E2E) Community. Created to foster collaboration among engineers. At e2e.ti.com, you can ask questions, share knowledge, explore ideas and help solve problems with fellow engineers.
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Design Support TI's Design Support Quickly find helpful E2E forums along with design support tools and contact information for technical support.
11.4 商標
E2E is a trademark of Texas Instruments.
All other trademarks are the property of their respective owners.
11.5 靜電放電警告
ESD 可能會損壞該集成電路。德州儀器 (TI) 建議通過適當的預防措施處理所有集成電路。如果不遵守正確的處理措施和安裝程序 , 可能會損壞集成電路。
ESD 的損壞小至導致微小的性能降級 , 大至整個器件故障。 精密的集成電路可能更容易受到損壞 , 這是因為非常細微的參數更改都可能會導致器件與其發布的規格不相符。