ZHCSFF9 September 2016 TLV171 , TLV2171 , TLV4171
PRODUCTION DATA.
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 技術(shù)規(guī)格
- 7 詳細(xì) 說(shuō)明
- 8 應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)
- 9 電源相關(guān)建議
- 10布局
- 11器件和文檔支持
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
6 技術(shù)規(guī)格
6.1 絕對(duì)最大額定值
在自然通風(fēng)溫度范圍內(nèi)測(cè)得，除非另有說(shuō)明。(1)| 最小值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| 電壓 | 電源電壓，V+ 至 V− | -20 | 20 | V |
| 信號(hào)輸入引腳 | (V−) − 0.5 | (V+) + 0.5 | ||
| 電流 | 信號(hào)輸入引腳 | -10 | 10 | mA |
| 輸出短路(2) | 連續(xù) | |||
| 溫度 | 工作溫度，TA | -55 | 150 | °C |
| 結(jié)溫，TJ | 150 | |||
| 貯存溫度，Tstg | -65 | 150 | ||
(1) 超出絕對(duì)最大額定值下所列值的應(yīng)力可能會(huì)對(duì)器件造成永久損壞。這些僅為在應(yīng)力額定值下的工作情況，對(duì)于額定值下器件的功能性操作以及在超出建議的工作條件下的任何其它操作，在此并未說(shuō)明。長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行在最大絕對(duì)額定條件下會(huì)影響器件可靠性。
(2) 對(duì)地短路，每個(gè)封裝對(duì)應(yīng)一個(gè)放大器。
6.2 ESD 額定值
| 值 | 單位 | |||
|---|---|---|---|---|
| V(ESD) | 靜電放電 | 人體放電模型 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(1) | ±4000 | V |
| 充電器件模型 (CDM)，符合 JEDEC 規(guī)范 JESD22-C101(2) | ±750 | |||
(1) JEDEC 文檔 JEP155 規(guī)定：500V HBM 能夠在標(biāo)準(zhǔn) ESD 控制流程下安全生產(chǎn)。
(2) JEDEC 文檔 JEP157 規(guī)定：250V CDM 能夠在標(biāo)準(zhǔn) ESD 控制流程下安全生產(chǎn)。
6.3 建議的工作條件
在自然通風(fēng)溫度范圍內(nèi)測(cè)得（除非另有說(shuō)明）| 最小值 | 標(biāo)稱值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| 電源電壓 (V+ - V–) | 單通道電源 | 2.7 | 36 | V | |
| 雙通道電源 | ±1.35 | ±18 | |||
| 額定溫度范圍 | -40 | +125 | °C | ||
6.4 熱性能信息：TLV171
| 熱指標(biāo)(1) | TLV171 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| D (SOIC) | DBV (SOT-23) | |||
| 8 引腳 | 5 引腳 | |||
| RθJA | 結(jié)至環(huán)境熱阻 | 149.5 | 245.8 | °C/W |
| RθJC(top) | 結(jié)至外殼（頂部）熱阻 | 97.9 | 133.9 | °C/W |
| RθJB | 結(jié)至電路板熱阻 | 87.7 | 83.6 | °C/W |
| ψJT | 結(jié)至頂部的特征參數(shù) | 35.5 | 18.2 | °C/W |
| ψJB | 結(jié)至電路板的特征參數(shù) | 89.5 | 83.1 | °C/W |
| RθJC(bot) | 結(jié)至外殼（底部）熱阻 | — | — | °C/W |
(1) 有關(guān)傳統(tǒng)和新熱指標(biāo)的更多信息，請(qǐng)參閱應(yīng)用報(bào)告《半導(dǎo)體和 IC 封裝熱指標(biāo)》。
6.5 熱性能信息：TLV2171
| 熱指標(biāo)(1) | TLV2171 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| D (SOIC) | DGK (VSSOP) | |||
| 8 引腳 | 8 引腳 | |||
| RθJA | 結(jié)至環(huán)境熱阻 | 134.3 | 175.2 | °C/W |
| RθJC(top) | 結(jié)至外殼（頂部）熱阻 | 72.1 | 74.9 | °C/W |
| RθJB | 結(jié)至電路板熱阻 | 60.6 | 22.2 | °C/W |
| ψJT | 結(jié)至頂部的特征參數(shù) | 18.2 | 1.6 | °C/W |
| ψJB | 結(jié)至電路板的特征參數(shù) | 53.8 | 22.8 | °C/W |
| RθJC(bot) | 結(jié)至外殼（底部）熱阻 | — | — | °C/W |
(1) 有關(guān)傳統(tǒng)和新熱指標(biāo)的更多信息，請(qǐng)參閱應(yīng)用報(bào)告《半導(dǎo)體和 IC 封裝熱指標(biāo)》。
6.6 熱性能信息：TLV4171
| 熱指標(biāo)(1) | TLV4171 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| D (SOIC) | PW (TSSOP) | |||
| 14 引腳 | 14 引腳 | |||
| RθJA | 結(jié)至環(huán)境熱阻 | 93.2 | 106.9 | °C/W |
| RθJC(top) | 結(jié)至外殼（頂部）熱阻 | 51.8 | 24.4 | °C/W |
| RθJB | 結(jié)至電路板熱阻 | 49.4 | 59.3 | °C/W |
| ψJT | 結(jié)至頂部的特征參數(shù) | 13.5 | 0.6 | °C/W |
| ψJB | 結(jié)至電路板的特征參數(shù) | 42.2 | 54.3 | °C/W |
| RθJC(bot) | 結(jié)至外殼（底部）熱阻 | — | — | °C/W |
(1) 有關(guān)傳統(tǒng)和新熱指標(biāo)的更多信息，請(qǐng)參閱應(yīng)用報(bào)告《半導(dǎo)體和 IC 封裝熱指標(biāo)》。
6.7 電氣特性
在 TA = 25°C，VCM = VOUT = VS/2，RL = 10kΩ 且連接至 VS/2 的條件下測(cè)得（除非另有說(shuō)明）| 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 失調(diào)電壓 | ||||||
| VOS | 輸入失調(diào)電壓 | TA = 25°C | 0.75 | ±2.7 | mV | |
| TA=-40°C 至 +125°C | ±3.0 | |||||
| dVOS/dT | 輸入失調(diào)電壓漂移 | TA = –40°C 至 +125°C | 1 | µV/°C | ||
| PSRR | 輸入失調(diào)電壓與電源電壓間的關(guān)系 | VS = 4V 至 36V，TA = –40°C 至 +125°C | 90 | 105 | dB | |
| 輸入偏置電流 | ||||||
| IB | 輸入偏置電流 | ±10 | pA | |||
| IOS | 輸入失調(diào)電流 | ±4 | pA | |||
| 噪聲 | ||||||
| 輸入電壓噪聲 | f = 0.1Hz 至 10Hz | 3 | µVPP | |||
| en | 輸入電壓噪聲密度 | f = 100Hz | 27 | nV/√Hz | ||
| f=1kHz | 16 | |||||
| 輸入電壓 | ||||||
| VCM | 共模電壓范圍(1) | (V–) – 0.1 | (V+) – 2 | V | ||
| CMRR | 共模抑制比 | VS = ±18V，(V–) – 0.1V < VCM < (V+) – 2V， TA = –40°C 至 +125°C |
94 | 105 | dB | |
| 輸入阻抗 | ||||||
| 差模 | 100 || 3 | MΩ || pF | ||||
| 共模 | 6 || 3 | 1012Ω || pF | ||||
| 開環(huán)增益 | ||||||
| AOL | 開環(huán)電壓增益 | VS = 36V， (V–) + 0.35V < VO < (V+) – 0.35V， TA = –40°C 至 +125°C |
94 | 130 | dB | |
| 頻率響應(yīng) | ||||||
| GBP | 增益帶寬積 | 3.0 | MHz | |||
| SR | 壓擺率 | G = +1 | 1.5 | V/µs | ||
| tS | 穩(wěn)定時(shí)間 | 到 0.1%，VS = ±18V，G = +1，10V 階躍 | 6 | µs | ||
| 到 0.01%（12 位），VS = ±18V，G = +1， 10V 階躍 |
10 | |||||
| 過(guò)載恢復(fù)時(shí)間 | VIN × 增益 > VS | 2 | µs | |||
| THD+N | 總諧波失真 + 噪聲 | G = +1，f = 1kHz，VO = 3VRMS | 0.0002% | |||
| 輸出 | ||||||
| VO | 電源軌的電壓輸出擺幅 | 正軌，VS = ±18V，RL = 10kΩ， TA = 25°C |
160 | mV | ||
| 負(fù)軌，VS = ±18V，RL = 10kΩ， TA = 25°C |
90 | mV | ||||
| RL = 10kΩ，AOL ≥ 94dB， TA = –40°C 至 +125°C |
(V-)+0.35 | (V+)-0.35 | V | |||
| ISC | 短路電流 | 25 | mA | |||
| –35 | ||||||
| CLOAD | 容性負(fù)載驅(qū)動(dòng) | 請(qǐng)參閱 典型特性 | pF | |||
| RO | 開環(huán)輸出電阻 | f = 1MHz，IO = 0A | 150 | Ω | ||
| 電源 | ||||||
| VS | 額定電壓范圍 | 2.7 | 36 | V | ||
| IQ | 靜態(tài)電流（每個(gè)放大器） | IO = 0A，TA = –40°C 至 +125°C | 525 | 695 | µA | |
| 溫度 | ||||||
| 額定溫度范圍 | -40 | 125 | °C | |||
| 工作溫度范圍 | –55 | 150 | °C | |||
6.8 典型特性
VS = ±18V，VCM = VS/2，RLOAD = 10kΩ 且連接至 VS/2，CL = 100pF（除非另有說(shuō)明）Table 1. 特征性能測(cè)量
| 說(shuō)明 | 圖表 |
|---|---|
| 失調(diào)電壓分布圖 | Figure 1 |
| 失調(diào)電壓與共模電壓間的關(guān)系 | Figure 2 |
| 失調(diào)電壓與共模電壓間的關(guān)系（前級(jí)） | Figure 3 |
| 輸入偏置電流和輸入失調(diào)電流與溫度間的關(guān)系 | Figure 4 |
| 輸出電壓擺幅與輸出電流間的關(guān)系（最大供電電壓） | Figure 5 |
| CMRR 和 PSRR 與頻率間的關(guān)系（以輸入為參考） | Figure 6 |
| 0.1Hz 至 10Hz 噪聲 | Figure 7 |
| 輸入電壓噪聲頻譜密度與頻率間的關(guān)系 | Figure 8 |
| 靜態(tài)電流與電源電壓間的關(guān)系 | Figure 9 |
| 開環(huán)增益和相位與頻率間的關(guān)系 | Figure 10 |
| 閉環(huán)增益與頻率間的關(guān)系 | Figure 11 |
| 開環(huán)增益與溫度間的關(guān)系 | Figure 12 |
| 開環(huán)輸出阻抗與頻率間的關(guān)系 | Figure 13 |
| 小信號(hào)過(guò)沖與容性負(fù)載間的關(guān)系 | Figure 14， Figure 15 |
| 無(wú)相位反轉(zhuǎn) | Figure 16 |
| 小信號(hào)階躍響應(yīng) (100mV) | Figure 17, Figure 18 |
| 大信號(hào)階躍響應(yīng) | Figure 19， Figure 20 |
| 大信號(hào)穩(wěn)定時(shí)間（10V 正階躍） | Figure 21 |
| 大信號(hào)穩(wěn)定時(shí)間（10V 負(fù)階躍） | Figure 22 |
| 短路電流與溫度間的關(guān)系 | Figure 23 |
| 最大輸出電壓與頻率間的關(guān)系 | Figure 24 |
| EMIRR IN+ 與頻率間的關(guān)系 | Figure 25 |
| 根據(jù) 3500 個(gè)放大器得出的分布圖 |
| 顯示 10 個(gè)典型單元 |
（前級(jí)）
| 100mV 輸出階躍，RL = 10kΩ |
| RL = 10kΩ，CL = 100pF |
| G = +1，RL = 10kΩ，CL = 100pF |
| 10V 正階躍，G = –1 |
| 顯示 10 個(gè)典型單元 |
（以輸入為參考）
| 顯示 5 個(gè)典型單元 |
| 100mV 輸出階躍，RL = 10kΩ |
| G = –1，RL = 10kΩ，CL = 100pF |
| 10V 負(fù)階躍，G = –1 |
