ZHCSFF9 September 2016 TLV171 , TLV2171 , TLV4171
PRODUCTION DATA.
6 技術規格
6.1 絕對最大額定值
在自然通風溫度范圍內測得，除非另有說明。(1)| 最小值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| 電壓 | 電源電壓，V+ 至 V− | -20 | 20 | V |
| 信號輸入引腳 | (V−) − 0.5 | (V+) + 0.5 | ||
| 電流 | 信號輸入引腳 | -10 | 10 | mA |
| 輸出短路(2) | 連續 | |||
| 溫度 | 工作溫度，TA | -55 | 150 | °C |
| 結溫，TJ | 150 | |||
| 貯存溫度，Tstg | -65 | 150 | ||
(1) 超出絕對最大額定值下所列值的應力可能會對器件造成永久損壞。這些僅為在應力額定值下的工作情況，對于額定值下器件的功能性操作以及在超出建議的工作條件下的任何其它操作，在此并未說明。長時間運行在最大絕對額定條件下會影響器件可靠性。
(2) 對地短路，每個封裝對應一個放大器。
6.2 ESD 額定值
| 值 | 單位 | |||
|---|---|---|---|---|
| V(ESD) | 靜電放電 | 人體放電模型 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(1) | ±4000 | V |
| 充電器件模型 (CDM)，符合 JEDEC 規范 JESD22-C101(2) | ±750 | |||
(1) JEDEC 文檔 JEP155 規定：500V HBM 能夠在標準 ESD 控制流程下安全生產。
(2) JEDEC 文檔 JEP157 規定：250V CDM 能夠在標準 ESD 控制流程下安全生產。
6.3 建議的工作條件
在自然通風溫度范圍內測得（除非另有說明）| 最小值 | 標稱值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| 電源電壓 (V+ - V–) | 單通道電源 | 2.7 | 36 | V | |
| 雙通道電源 | ±1.35 | ±18 | |||
| 額定溫度范圍 | -40 | +125 | °C | ||
6.4 熱性能信息：TLV171
| 熱指標(1) | TLV171 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| D (SOIC) | DBV (SOT-23) | |||
| 8 引腳 | 5 引腳 | |||
| RθJA | 結至環境熱阻 | 149.5 | 245.8 | °C/W |
| RθJC(top) | 結至外殼（頂部）熱阻 | 97.9 | 133.9 | °C/W |
| RθJB | 結至電路板熱阻 | 87.7 | 83.6 | °C/W |
| ψJT | 結至頂部的特征參數 | 35.5 | 18.2 | °C/W |
| ψJB | 結至電路板的特征參數 | 89.5 | 83.1 | °C/W |
| RθJC(bot) | 結至外殼（底部）熱阻 | — | — | °C/W |
(1) 有關傳統和新熱指標的更多信息，請參閱應用報告《半導體和 IC 封裝熱指標》。
6.5 熱性能信息：TLV2171
| 熱指標(1) | TLV2171 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| D (SOIC) | DGK (VSSOP) | |||
| 8 引腳 | 8 引腳 | |||
| RθJA | 結至環境熱阻 | 134.3 | 175.2 | °C/W |
| RθJC(top) | 結至外殼（頂部）熱阻 | 72.1 | 74.9 | °C/W |
| RθJB | 結至電路板熱阻 | 60.6 | 22.2 | °C/W |
| ψJT | 結至頂部的特征參數 | 18.2 | 1.6 | °C/W |
| ψJB | 結至電路板的特征參數 | 53.8 | 22.8 | °C/W |
| RθJC(bot) | 結至外殼（底部）熱阻 | — | — | °C/W |
(1) 有關傳統和新熱指標的更多信息，請參閱應用報告《半導體和 IC 封裝熱指標》。
6.6 熱性能信息：TLV4171
| 熱指標(1) | TLV4171 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| D (SOIC) | PW (TSSOP) | |||
| 14 引腳 | 14 引腳 | |||
| RθJA | 結至環境熱阻 | 93.2 | 106.9 | °C/W |
| RθJC(top) | 結至外殼（頂部）熱阻 | 51.8 | 24.4 | °C/W |
| RθJB | 結至電路板熱阻 | 49.4 | 59.3 | °C/W |
| ψJT | 結至頂部的特征參數 | 13.5 | 0.6 | °C/W |
| ψJB | 結至電路板的特征參數 | 42.2 | 54.3 | °C/W |
| RθJC(bot) | 結至外殼（底部）熱阻 | — | — | °C/W |
(1) 有關傳統和新熱指標的更多信息，請參閱應用報告《半導體和 IC 封裝熱指標》。
6.7 電氣特性
在 TA = 25°C，VCM = VOUT = VS/2，RL = 10kΩ 且連接至 VS/2 的條件下測得（除非另有說明）| 參數 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 失調電壓 | ||||||
| VOS | 輸入失調電壓 | TA = 25°C | 0.75 | ±2.7 | mV | |
| TA=-40°C 至 +125°C | ±3.0 | |||||
| dVOS/dT | 輸入失調電壓漂移 | TA = –40°C 至 +125°C | 1 | µV/°C | ||
| PSRR | 輸入失調電壓與電源電壓間的關系 | VS = 4V 至 36V，TA = –40°C 至 +125°C | 90 | 105 | dB | |
| 輸入偏置電流 | ||||||
| IB | 輸入偏置電流 | ±10 | pA | |||
| IOS | 輸入失調電流 | ±4 | pA | |||
| 噪聲 | ||||||
| 輸入電壓噪聲 | f = 0.1Hz 至 10Hz | 3 | µVPP | |||
| en | 輸入電壓噪聲密度 | f = 100Hz | 27 | nV/√Hz | ||
| f=1kHz | 16 | |||||
| 輸入電壓 | ||||||
| VCM | 共模電壓范圍(1) | (V–) – 0.1 | (V+) – 2 | V | ||
| CMRR | 共模抑制比 | VS = ±18V，(V–) – 0.1V < VCM < (V+) – 2V， TA = –40°C 至 +125°C |
94 | 105 | dB | |
| 輸入阻抗 | ||||||
| 差模 | 100 || 3 | MΩ || pF | ||||
| 共模 | 6 || 3 | 1012Ω || pF | ||||
| 開環增益 | ||||||
| AOL | 開環電壓增益 | VS = 36V， (V–) + 0.35V < VO < (V+) – 0.35V， TA = –40°C 至 +125°C |
94 | 130 | dB | |
| 頻率響應 | ||||||
| GBP | 增益帶寬積 | 3.0 | MHz | |||
| SR | 壓擺率 | G = +1 | 1.5 | V/µs | ||
| tS | 穩定時間 | 到 0.1%，VS = ±18V，G = +1，10V 階躍 | 6 | µs | ||
| 到 0.01%（12 位），VS = ±18V，G = +1， 10V 階躍 |
10 | |||||
| 過載恢復時間 | VIN × 增益 > VS | 2 | µs | |||
| THD+N | 總諧波失真 + 噪聲 | G = +1，f = 1kHz，VO = 3VRMS | 0.0002% | |||
| 輸出 | ||||||
| VO | 電源軌的電壓輸出擺幅 | 正軌，VS = ±18V，RL = 10kΩ， TA = 25°C |
160 | mV | ||
| 負軌，VS = ±18V，RL = 10kΩ， TA = 25°C |
90 | mV | ||||
| RL = 10kΩ，AOL ≥ 94dB， TA = –40°C 至 +125°C |
(V-)+0.35 | (V+)-0.35 | V | |||
| ISC | 短路電流 | 25 | mA | |||
| –35 | ||||||
| CLOAD | 容性負載驅動 | 請參閱 典型特性 | pF | |||
| RO | 開環輸出電阻 | f = 1MHz，IO = 0A | 150 | Ω | ||
| 電源 | ||||||
| VS | 額定電壓范圍 | 2.7 | 36 | V | ||
| IQ | 靜態電流（每個放大器） | IO = 0A，TA = –40°C 至 +125°C | 525 | 695 | µA | |
| 溫度 | ||||||
| 額定溫度范圍 | -40 | 125 | °C | |||
| 工作溫度范圍 | –55 | 150 | °C | |||
6.8 典型特性
VS = ±18V，VCM = VS/2，RLOAD = 10kΩ 且連接至 VS/2，CL = 100pF（除非另有說明）Table 1. 特征性能測量
| 說明 | 圖表 |
|---|---|
| 失調電壓分布圖 | Figure 1 |
| 失調電壓與共模電壓間的關系 | Figure 2 |
| 失調電壓與共模電壓間的關系（前級） | Figure 3 |
| 輸入偏置電流和輸入失調電流與溫度間的關系 | Figure 4 |
| 輸出電壓擺幅與輸出電流間的關系（最大供電電壓） | Figure 5 |
| CMRR 和 PSRR 與頻率間的關系（以輸入為參考） | Figure 6 |
| 0.1Hz 至 10Hz 噪聲 | Figure 7 |
| 輸入電壓噪聲頻譜密度與頻率間的關系 | Figure 8 |
| 靜態電流與電源電壓間的關系 | Figure 9 |
| 開環增益和相位與頻率間的關系 | Figure 10 |
| 閉環增益與頻率間的關系 | Figure 11 |
| 開環增益與溫度間的關系 | Figure 12 |
| 開環輸出阻抗與頻率間的關系 | Figure 13 |
| 小信號過沖與容性負載間的關系 | Figure 14， Figure 15 |
| 無相位反轉 | Figure 16 |
| 小信號階躍響應 (100mV) | Figure 17, Figure 18 |
| 大信號階躍響應 | Figure 19， Figure 20 |
| 大信號穩定時間（10V 正階躍） | Figure 21 |
| 大信號穩定時間（10V 負階躍） | Figure 22 |
| 短路電流與溫度間的關系 | Figure 23 |
| 最大輸出電壓與頻率間的關系 | Figure 24 |
| EMIRR IN+ 與頻率間的關系 | Figure 25 |
| 根據 3500 個放大器得出的分布圖 |
| 顯示 10 個典型單元 |
（前級）
| 100mV 輸出階躍，RL = 10kΩ |
| RL = 10kΩ，CL = 100pF |
| G = +1，RL = 10kΩ，CL = 100pF |
| 10V 正階躍，G = –1 |
| 顯示 10 個典型單元 |
（以輸入為參考）
| 顯示 5 個典型單元 |
| 100mV 輸出階躍，RL = 10kΩ |
| G = –1，RL = 10kΩ，CL = 100pF |
| 10V 負階躍，G = –1 |
