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ZHCSYK4C February 1997 – July 2025 TLE2061 , TLE2061A , TLE2061AM , TLE2061BM , TLE2061M , TLE2062 , TLE2062A , TLE2062AM , TLE2062BM , TLE2062M , TLE2064 , TLE2064A , TLE2064AM , TLE2064BM , TLE2064M

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

FK|20
JG|8

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

5.31 TLE2064C 電氣特性

在指定自然通風(fēng)溫度下，V_CC± = ± 5V（除非另有說明）

參數(shù)			測試條件		T_A⁽¹⁾	TLE2064C TLE2064AC TLE2064BC			單位
參數(shù)			測試條件		T_A⁽¹⁾	最小值	典型值	最大值	單位
V_IO	輸入失調(diào)電壓	TLE2064C	V_IC = 0，	R_S = 50Ω	25°C		0.1	7	mV
		TLE2064C			完整范圍			7.9
		TLE2064AC			25°C		0.1	6
		TLE2064AC			完整范圍			6.9
		TLE2064BC			25°C		0.1	3.5
		TLE2064BC			完整范圍			4.4
a_VIO	輸入失調(diào)電壓的溫度系數(shù)				完整范圍		1		μV/°C
	輸入失調(diào)電壓長期漂移⁽²⁾				25°C		0.04		μV/mo
I_IO	輸入失調(diào)電流				25°C		1		pA
I_IO	輸入失調(diào)電流				完整范圍			0.8	nA
I_IB	輸入偏置電流				25°C		3		pA
I_IB	輸入偏置電流				完整范圍			2	nA
V_ICR	共模輸入電壓范圍				25°C	-1.6 至 4	-2 至 6		V
V_ICR	共模輸入電壓范圍				完整范圍	-1.6 至 4			V
V_OM+	最大的正極峰值輸出電壓擺幅		R_L= 10k?		25°C	3.5	4.9		V
			R_L= 10k?		完整范圍	3.3			V
			R_L = 100k?		25°C	2.5	4.5		V
			R_L = 100k?		完整范圍	2			V
V_OM–	最大的負(fù)極峰值輸出電壓擺幅		R_L= 10k?		25°C	-3.7	-4.9		V
			R_L= 10k?		完整范圍	-3.3			V
			R_L = 100k?		25°C	-2.5	-4.5		V
			R_L = 100k?		完整范圍	-2			V
A_VD	大信號差分電壓放大		V_O = ±2.8V	R_L = 10Ω	25°C	15	225		V/mV
			V_O = ±2.8V	R_L = 10Ω	完整范圍	2
			V_O = 0 至 2V	R_L = 100Ω	25°C	0.75	225
			V_O = 0 至 2V	R_L = 100Ω	完整范圍	0.5
			V_O = 0 至 -2V	R_L = 100Ω	25°C	0.5	225
			V_O = 0 至 -2V	R_L = 100Ω	完整范圍	0.15
r_i	輸入電阻				25°C		10¹²		Ω
c_i	輸入電容				25°C		4		pF
z_o	開環(huán)輸出阻抗		I_O = 0		25°C		280		Ω
CMRR	共模抑制比		V_IC = V_ICRmin，	R_S = 50Ω	25°C	65	82		dB
CMRR	共模抑制比		V_IC = V_ICRmin，	R_S = 50Ω	完整范圍	65			dB
k_SVR	電源電壓抑制比 (ΔV_CC±/ΔV_IO)		V_CC± = ± 5V 至 ± 15V，		25°C	75	135		dB
k_SVR	電源電壓抑制比 (ΔV_CC±/ΔV_IO)		R_S = 50Ω		完整范圍	75			dB
I_CC	電源電流（4 個放大器）		V_O = 0，	無負(fù)載	25°C		0.6	1.3	mA
I_CC	電源電流（4 個放大器）		V_O = 0，	無負(fù)載	完整范圍			1.3	mA
V_O1/ V_O2	串?dāng)_衰減		A_VD = 1000，	f = 1kHz	25°C		120		dB

(1) 完整范圍為 0°C 至 70°C。

(4) 典型值基于在 T_A = 150°C 條件下進(jìn)行 168 小時工作壽命測試期間觀察到的輸入失調(diào)電壓漂移，使用阿倫尼烏斯方程外推至 T_A = 25°C，并假設(shè)活化能為 0.96 eV