與所有高速器件類似，可以通過精心設(shè)計電路板布局布線來實現(xiàn)出色的系統(tǒng)性能。THS4541 評估模塊 (EVM) 提供了一個很好的高頻布局技術(shù)示例作為參考。該 EVM 包含許多用于表征用途的額外元件和功能。一般高速信號路徑布局建議包括：
- 連續(xù)接地平面更適合用于具有匹配阻抗引線的信號路由，以實現(xiàn)更長的運(yùn)行時間；不過，應(yīng)在電容敏感輸入和輸出器件引腳周圍打開接地平面和電源平面。將信號發(fā)送到電阻器后，寄生電容會更多地導(dǎo)致帶寬限制問題，而不是穩(wěn)定性問題。
- 在器件電源引腳的接地平面上使用完好的高頻去耦電容器 (0.1μF)。需要容值更大的電容 (2.2μF)，但可以將其放置在離器件電源引腳更遠(yuǎn)的位置并在器件之間共享。為獲得良好的高頻去耦效果，請考慮使用 X2Y 電源去耦電容器，以提供比標(biāo)準(zhǔn)電容器高得多的自諧振頻率。
- 在任何可感知距離上使用差分信號路由時，請使用具有匹配阻抗引線的微帶布局技術(shù)。
- 速度更高的 FDA（例如 THS4541）在較大的 16 引腳 VQFN (RGT) 封裝的輸入反饋側(cè)包含一個輸出引腳副本。該副本旨在允許在封裝輸入側(cè)幾乎沒有布線長度的情況下連接外部反饋電阻器。在該關(guān)鍵反饋路徑上使用此布局方法，無需額外的布線長度。較小的 10 引腳 WQFN (RUN) 封裝將輸出和所需輸入排列在封裝的同一側(cè)，其中反饋 (Rf) 電阻器緊鄰封裝放置，具有超小的布線長度。
- 輸入求和點對寄生電容非常敏感。以極小的到電阻器器件引腳側(cè)的布線長度將任何 Rg 元件連接到求和點。如果需要連接到源或接地端，則 Rg 元件的另一側(cè)可能具有更大的布線長度。