ZHCSO23B June 2021 – October 2023 TCA39306-Q1
PRODUCTION DATA
在圖 7-1 所示的正常設(shè)置中,使能引腳和 VREF2 短接在一起并連接至一個(gè) 200kΩ 的電阻器,然后建立一個(gè)等于 VREF1 加上 FET 閾值電壓的基準(zhǔn)電壓。此基準(zhǔn)電壓有助于更有效地將低電平從一側(cè)傳遞到另一側(cè),同時(shí)仍然分離兩側(cè)不同的上拉電壓。
圖 7-1 正常設(shè)置請(qǐng)注意確保 VREF2 在它和 VCC2 之間連接了一個(gè)外部電阻器。如果 VREF2 在沒有電阻器的情況下直接連接到 VCC2 電源軌,那么從 VCC2 到 VCC1 沒有外部電阻來限制電流,如圖 7-2 所示。這實(shí)際上看起來像是供電流通過的低阻抗路徑,如果流經(jīng)導(dǎo)通 FET 的電流大于絕對(duì)最大額定值中指定的絕對(duì)最大連續(xù)通道電流,則可能會(huì)斷開導(dǎo)通 FET。VCC1 和 VCC2 之間的電壓差越高,連續(xù)通道電流越大。
圖 7-2 顯示了不適當(dāng)?shù)脑O(shè)置。如果 VCC2 大于 VCC1 但小于 Vth,則 VCC1 和 VCC2 之間的阻抗較高,導(dǎo)致漏源電流較低,所以不會(huì)對(duì)器件造成損壞。當(dāng) VCC2 變?yōu)楸?VCC1 大 Vth 時(shí),就會(huì)出現(xiàn)問題。在此事件期間,NFET 導(dǎo)通并開始傳導(dǎo)電流。此電流取決于柵源電壓和漏源電壓。
圖 7-2 異常設(shè)置