ZHCSX58A September 2024 – October 2025 TAS2320
PRODUCTION DATA
8.2 典型應用
以下示意圖顯示了 TAS2320 器件的典型應用連接。SEL1_I2C 引腳用于選擇器件的 HW 模式或 I2C 模式。
如果需要，系統可以使用相同的 1.8V 電源為 IOVDD 和 VDD 供電。去耦電容器 C2 和 C3 應靠近器件引腳放置。
VBAT、VDD、PVDD 電源軌對器件性能至關重要，應在源 PMIC 和這些引腳之間使用寬引線，以盡量減小寄生電感。對于這些電源軌，電源紋波應保持最小并應連接到公共電源平面。
勘誤表：如果 IRQZ 信號被拉高，則預計會有額外的 2mA 到 3mA 電流消耗。在應做事項和禁止事項一節中了解更多詳細信息。
圖 8-1 基于 TAS2320 的系統的應用示意圖
圖 8-2 升壓共享拓撲應用示意圖表 8-1 推薦的外部元件
| 元件 | 說明 | 規格 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| L2、L3 | 可選的 EMI 濾波電感器（如果使用 L2、L3，則必須使用 C10、C11） | 直流電流 | 2 | A | ||
| C1, C2 | DREG、IOVDD 去耦電容器 | 電容，容差為 20% | 1 | μF | ||
| 電壓額定值 | 2 | 6.3 | V | |||
| C3 | VDD 去耦電容器 | 電容，容差為 20% | 2.2 | μF | ||
| 電壓額定值 | 2 | 6.3 | V | |||
| C4 | VBAT 去耦電容器 | 電容，容差為 20% | 1 | μF | ||
| 電壓額定值 | 6.3 | 10 | V | |||
| C6 | PVDD 低 ESL 去耦 | 電容，容差為 20% | 0.1 | μF | ||
| 電壓額定值 | 16 | 25 | V | |||
| C7 | PVDD 電源去耦電容器 | 電容，容差為 20% | 10 | μF | ||
| 電壓額定值 | 16 | 25 | V | |||
| C9 | GREG 去耦電容器 | 電容，容差為 20% | 0.1 | μF | ||
| 電壓額定值 | 6.3 | 10 | V | |||
| C10、C11 | 可選的 EMI 濾波電容器（如果使用 C10、C11，則必須使用 L2、L3） | 電壓額定值 | 2xPVDD | V |