ZHCSX58A September 2024 – October 2025 TAS2320
PRODUCTION DATA
該器件提供靈活的音頻串行接口 (ASI) 端口。該端口可配置為支持多種格式，包括立體聲 I2S、左對齊和 TDM。通過 SDIN 引腳提供單音頻播放。SDOUT 引腳用于傳輸樣本流，包括 I-sense、V-sense、PVDD 電壓、VBAT 電壓、內核溫度、狀態以及用于回聲基準的音頻。
TDM 串行音頻端口在 44.1/48kHz 采樣率下支持多達 16 個 32 位時隙，在 88.2/96kHz 采樣率下支持多達 8 個 32 位時隙，在 176.4/192kHz 采樣率下支持多達 4 個 32 位時隙。該器件支持 2 個寬度為 32 位的時隙，以及 4 個或 8 個寬度為 16 位、24 位或 32 位的時隙。器件可自動檢測時隙數，無需編程。TDM 總線上檢測到的 PCM 數據采樣率以及 SBCLK 與 FSYNC 之比會分別在只讀寄存器位 FS_RATE_DETECTED[2:0] 和 FS_RATIO_DETECTED[3:0] 上報告。
| FS_RATE_DETECTED[2:0] （只讀） |
設置 |
|---|---|
| 000 | 保留 |
| 001 | 14.7kHz/16kHz |
| 010 | 22.05kHz/24kHz |
| 011 | 29.4kHz/32kHz |
| 100（默認值） |
44.1kHz/48kHz |
| 101 | 88.2kHz/96kHz |
| 110 | 176.4kHz/192kHz |
| 111 | 錯誤條件 |
RX_SLEN[1:0] 寄存器位將 RX 時隙的長度設置為 16、24 或 32（默認）位。時隙內音頻樣本字的長度由 RX_WLEN[1:0] 寄存器位配置。默認情況下，RX 端口將使時隙內的音頻樣本左對齊，但這可以通過 RX_JUSTIFY 寄存器位更改為右對齊。器件支持單聲道和立體聲下混音播放 ([L+R]/2)。默認情況下，器件將從等于 I2C 基地址偏移量（由 AD1 和 AD2 引腳設置）的時隙播放單聲道。RX_SCFG[1:0] 寄存器位可用于將播放源覆蓋到左時隙、右時隙或由 RX_SLOT_R[3:0] 和 RX_SLOT_L[3:0] 寄存器位設置的立體聲下混頻。
如果時隙選擇將接收部分或全部置于幀邊界之外，則接收器返回一個空樣本，相當于一個數字靜音樣本。
TDM 端口可以在 SDOUT 引腳上傳輸多個樣本流，包括揚聲器電壓檢測、揚聲器電流檢測、中斷和狀態、PVDD 電壓、VBAT 電壓和內核溫度。
SBCLK 的上升沿或下降沿均可用于在 SDOUT 引腳上傳輸數據。這可以通過設置 TX_EDGE 寄存器位來配置。TX_OFFSET[2:0] 寄存器位定義從幀開始到時隙 0 開始的 SBCLK 周期數。這會編程為 0（對于左對齊格式）和 1（對于 I2S 格式）。TDM TX 可以發送邏輯 0 或高阻態，具體取決于 TX_FILL 寄存器位的設置。當所有器件都驅動高阻態時，可選的總線保持器可以弱保持 SDOUT 引腳的狀態。由于 SDOUT 上只需要一個總線保持器，因此可以通過 TX_KEEPEN 寄存器位禁用此功能。使用 TX_KEEPLN 寄存器位可以將總線保持器配置為僅將總線保持 1 個 LSB 或始終保持（永久）。此外，可以使用 TX_KEEPCY 寄存器位將保持器 LSB 驅動一個完整周期或半個周期。
可以分別使用 VSNS_TX 和 ISNS_TX 寄存器位來啟用電壓和電流檢測值的 TDM 傳輸。每個檢測流可以單獨啟用或禁用。這對于管理有限的 TDM 帶寬會很有用，因為可能沒有必要為總線上的所有器件傳輸所有流。
每個檢測流的 VSNS_SLOT[5:0]、ISNS_SLOT[5:0] 定義了 MSB 傳輸開始的位置。例如，如果 VSNS_SLOT 被設置為 2，則高 8 位 (MSB) 在時隙 2 中傳輸，低 8 位 (LSB) 在時隙 3 中傳輸。
確保主動傳輸的樣本流的時隙分配不產生沖突很重要。例如，如果 VSNS_SLOT 被設置為 2 且 ISNS_SLOT 被設置為 3，則電壓檢測的低 8 位 (LSB) 將與電流檢測的高 8 位 (MSB) 發生沖突。這會在沖突的位時隙中產生不可預測的傳輸結果（例如未定義優先級）。
默認情況下，電壓和電流檢測值以完整的 16 位測量值進行傳輸。IVMON_SLEN[1:0] 位可用于在一個時隙中僅傳輸 8 個 MSB 位或跨多個時隙傳輸 12 個 MSB 位值。當主機處理器只能處理 24 位 I2S/TDM 數據時，使用特殊的 12 位模式。該器件需要配置為將電壓檢測時隙和電流檢測時隙錯開 1 個時隙，并占用 3 個連續的 8 位時隙。在這種模式下，器件將發送前 12 個 MSB 位，然后發送由前一個時隙指定的接下來的 12 個 MSB 位。
器件還支持輸入電源電壓的監測和 TDM 傳輸。對于 PVDD 時隙，可以使用使能和長度設置 PVDD_SLOT[5:0]、PVDD_TX 和 PVDD_SLEN 寄存器位。同樣，對于 VBAT 時隙，可以使用使能和長度設置 VBAT_SLOT[5:0]、VBAT_TX 和 VBAT_SLEN 寄存器位。內核溫度也能夠以相同的方式從器件傳輸?？梢允褂?TEMP_TX 和 TEMP_SLOT [5:0] 寄存器位來完成內核溫度的使能和時隙設置。
STATUS_SLOT[5:0] 寄存器位提供了有關時隙狀態的信息。將 STATUS_TX 寄存器位設置為高電平會啟用狀態發送。如果時隙選擇將傳輸置于幀邊界之外，則發送器將在幀邊界截斷傳輸。