ZHCSHP0J March 2002 – July 2025 REF30 , REF30E
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REF30 是串聯、精度帶隙電壓基準。節 7.2 展示了它的基本拓撲。晶體管 Q1 和 Q2 實現了偏置,使得 Q1 的電流密度大于 Q2 的電流密度。兩個基極發射極電壓之差 (Vbe1 - Vbe2) 具有正溫度系數,并被迫通過電阻 R1。此電壓被放大并被添加到具有負系數的 Q2 的基極發射極電壓。由此產生的輸出電壓實際上與溫度無關。帶隙電壓的彎曲(如圖 6-10 所示)是 Q2 基極發射極電壓的輕微非線性溫度系數所致。