ZHCSXN2 December 2024 MCF8315D
PRODUCTION DATA
放置大容量電容器時，應(yīng)盡量縮短通過電機(jī)驅(qū)動器器件的大電流路徑的距離。連接金屬布線寬度應(yīng)盡可能寬，并且在連接 PCB 層時應(yīng)使用許多過孔。這些做法更大限度地減少了寄生電感并允許大容量電容器提供大電流。
小值電容器應(yīng)為陶瓷電容器，并靠近器件引腳放置。
大電流器件輸出應(yīng)使用寬金屬布線。
為減少大瞬態(tài)電流進(jìn)入小電流信號路徑的噪聲耦合和 EMI 干擾，應(yīng)在 PGND 和 AGND 之間分區(qū)接地。TI 建議將所有非功率級電路（包括散熱焊盤）連接到 AGND，以降低寄生效應(yīng)并改善器件的功率耗散。（可選）可以拆分 GND_BK。確保接地端通過網(wǎng)絡(luò)連接或?qū)掚娮杵鬟B接，以減小電壓偏移并保持柵極驅(qū)動器性能。
器件散熱焊盤應(yīng)焊接到 PCB 頂層接地平面。應(yīng)使用多個過孔連接到較大的底層接地平面。使用大金屬平面和多個過孔有助于散發(fā)器件中產(chǎn)生的 I2 × RDS(on) 熱量。
為了提高熱性能，請在 PCB 的所有可能層上盡可能地增大連接到散熱焊盤接地端的接地面積。使用較厚的覆銅可以降低結(jié)至空氣熱阻并改善芯片表面的散熱。
通過接地隔離將 SW_BK 和 FB_BK 跡線分開，減少降壓開關(guān)作為噪聲耦合到降壓外部反饋環(huán)路中的情況。盡可能加寬 FB_BK 跡線，以實現(xiàn)更快的負(fù)載開關(guān)。
圖 9-12 展示了 MCF8315D 的布局示例。另外，有關(guān)布局示例，請參閱 MCF8315D EVM。