ZHCSIB5J February 2001 – November 2016 LMV712-N , LMV712-N-Q1
PRODUCTION DATA.
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì) 說(shuō)明
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 電源建議
- 10布局
- 11器件和文檔支持
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
7.4.2 容性負(fù)載容差
在單位增益配置下，LMV712-N 可直接驅(qū)動(dòng) 200pF，而不會(huì)出現(xiàn)振蕩。單位增益跟隨器是對(duì)容性負(fù)載最敏感的配置。直接容性負(fù)載可減小放大器的相位裕度。放大器的輸出抗阻和容性負(fù)載的組合會(huì)引起相位滯后。這會(huì)導(dǎo)致欠阻尼的脈沖響應(yīng)或振蕩。要驅(qū)動(dòng)電容更大的負(fù)載，TI 建議使用Figure 32 中所示的電路。
Figure 32. 驅(qū)動(dòng)高電容負(fù)載
在Figure 32 中，隔離電阻器 RISO 和負(fù)載電容器 CL 會(huì)形成一個(gè)極點(diǎn)，通過(guò)增大整個(gè)系統(tǒng)的相位裕度來(lái)提高穩(wěn)定性。所需的性能取決于 RISO 值。RISO 電阻值越大，VOUT 越穩(wěn)定。但是，當(dāng) RISO 變大時(shí)，直流精度會(huì)有所下降。如果該應(yīng)用中有一個(gè)負(fù)載電阻器，則輸出電壓會(huì)由 RISO 和該負(fù)載電阻器各分得一部分。
相對(duì)于Figure 32 所示電路，Figure 33 中的電路更為出色，因?yàn)樵撾娐房商峁┲绷骶纫约敖涣鞣€(wěn)定性。在Figure 33 中，RF 通過(guò)使用前饋技術(shù)將 VIN 連接到 RL，從而提供直流精度。CF 和 RISO 通過(guò)將輸出信號(hào)的高頻分量反饋回放大器的反相輸入來(lái)抵消相位裕度的損失，從而保持整個(gè)反饋環(huán)路中的相位裕度?？赏ㄟ^(guò)增大 CF 的值來(lái)增加容性驅(qū)動(dòng)。這會(huì)進(jìn)而降低脈沖響應(yīng)的速度。
Figure 33. 更高的直流精度