ZHCSQJ7B June 2023 – December 2023 LMR51606 , LMR51610
PRODUCTION DATA
EMI 輻射是由高電流變化率組件在開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器中的脈沖電流中生成。脈沖電流環(huán)路的面積越大,EMI 輻射越強(qiáng)。在靠近輸入端的位置放一個(gè)高頻陶瓷旁路電容可為脈沖電流的高電流變化率組件提供基本路徑。陶瓷旁路電容應(yīng)盡可能靠近 VIN 引腳和 GND 引腳放置,這是降低 EMI 的關(guān)鍵所在。
連接到電感器的 SW 引腳必須盡可能短,并且寬度應(yīng)足以承載負(fù)載電流而不會(huì)出現(xiàn)過(guò)熱現(xiàn)象。必須為高電流傳導(dǎo)路徑使用短而厚的跡線或覆銅(形狀),以盡可能減小寄生電阻。輸出電容器必須靠近電感器的 VOUT 端放置,并牢固地接地至 GND 引腳。