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ZHCSLK1D February 2022 – November 2024 LMQ66410-Q1 , LMQ66420-Q1 , LMQ66430-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數據 (封裝 | 引腳)

RXB|14
- MPQF580B

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

訂購信息

6.5 電氣特性

限制值適用于推薦的 -40°C 至 +150°C 工作結溫范圍，除非另有說明。最小和最大限制經過測試、設計和統計相關性分析確定。典型值表示 T_J = 25°C 條件下最有可能達到的參數標準，僅供參考。除非另有說明，以下條件適用：VIN = 13.5V，VOUT = 3.3V。

參數		測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
電源電壓（VIN 引腳）
V_INMIN	啟動的輸入電壓上升閾值	啟動前	3.2	3.35	3.5	V
V_INMIN	輸入電壓下降閾值	運行后	2.45	2.7	3	V
I_SD(VIN)	VIN 引腳處的關斷靜態電流	EN = 0V		0.25	1	μA
I_BIAS	VOUT/FB 處的非開關輸入電流	固定 5.0V Vout，V_VOUT/FB = 5.25V		4.2	6.5	μA
I_BIAS	VOUT/FB 處的非開關輸入電流	固定 3.3Vout，V_VOUT/FB = 3.47V		4.2	6.5	μA
I_QVIN(nonsw)	非開關輸入電流；在 VIN 引腳處測得⁽¹⁾	固定 5V V_OUT，V_VOUT/FB = 5.25V		1.6	3	μA
I_QVIN(nonsw)	非開關輸入電流；在 VIN 引腳處測得⁽¹⁾	固定 3.3V V_OUT，V_VOUT/FB = 3.47V		1.2	2.2	μA
使能（EN 引腳）
V_EN-WAKE	EN 喚醒閾值		0.5	0.7	1	V
V_EN-VOUT	V_OUT 的精密使能上升閾值		1.16	1.23	1.3	V
V_EN-HYST	使能遲滯低于 V_EN-VOUT		0.3	0.35	0.4	V
I_LKG-EN	使能引腳輸入漏電流	V_EN = V_IN= 13.5V		10		nA
內部 LDO（VCC 引腳）
V_CC	VCC 引腳輸出電壓	V_FB = 0V，I_VCC= 1mA	3.1	3.3	3.45	V
電壓反饋（VOUT/FB 引腳）
V_OUT	固定 V_OUT 的輸出電壓精度	3.3V V_OUT，V_IN = 3.6V 至 36V，FPWM 模式	3.27	3.3	3.32	V
V_OUT	固定 V_OUT 的輸出電壓精度	5V V_OUT，V_IN = 5.5V 至 36V，FPWM 模式	4.94	5.00	5.06	V
V_FB	內部基準電壓精度	V_OUT= 1V，V_IN = 3.0V 至 36V，FPWM 模式	0.99	1.00	1.01	V
I_FB(LKG)	FB 輸入電流	可調配置，FB = 1V		10		nA
電流限值
I_PEAKMAX	高側峰值電流限值	LMQ66430-Q1	3.9	4.4	5	A
I_VALMAX	低側谷值電流限值	LMQ66430-Q1	2.9	3.5	4	A
I_PEAKMIN	最小峰值電流限制	LMQ66430-Q1，自動模式	0.55	0.69	0.86	A
I_NEGMIN	低側谷值電流負限值	LMQ66430-Q1，FPWM 模式	-1.5	-1.3	-1	A
I_PEAKMAX	高側峰值電流限值	LMQ66420-Q1	2.8	3.4	3.9	A
I_VALMAX	低側谷值電流限值	LMQ66420-Q1	1.9	2.2	2.53	A
I_PEAKMIN	最小峰值電流限制	LMQ66420-Q1，自動模式	0.37	0.5	0.65	A
I_NEGMIN	負電流限值	LMQ66420-Q1，FPWM 模式	-1	-0.8	-0.6	A
I_PEAKMAX	高側峰值電流限值	LMQ66410-Q1	1.4	1.8	2.1	A
I_VALMAX	低側谷值電流限值	LMQ66410-Q1	0.9	1.1	1.4	A
I_PEAKMIN	最小峰值電流限制	LMQ66410-Q1，自動模式	0.17	0.27	0.35	A
I_NEGMIN	低側谷值電流負限值	LMQ66410-Q1，FPWM 模式	-1	-0.8	-0.6	A
I_ZC	過零電流限值	自動模式	30	80	135	mA
電源正常（PG 引腳）
PG_OV	PG 上限閾值 - 上升	VOUT/FB %（固定或可調輸出）	104	108	111	%
PG_UV	PG 上限閾值 - 下降	VOUT/FB %（固定或可調輸出）	89	91	94.2	%
PG_HYST	OV 的 PG 恢復遲滯	VOUT/FB 目標調節電壓 %	2	2.4	2.8	%
PG_HYST	UV 的 PG 恢復遲滯	VOUT/FB 目標調節電壓 %	2	3.3	4.6	%
V_PG-VAL	PG 功能的最小 V_IN	V_EN= 0V，R_{PG_PU} = 10kΩ			1.5	V
R_PG	PG 導通電阻	V_EN = 3.3V，200μA 上拉電流			100	Ω
R_PG	PG 導通電阻	V_EN = 0V，200μA 上拉電流			100	Ω
t_{RESET_FILTER}	PG 下降沿抗尖峰脈沖延遲		25	40	75	μs
t_{PG_ACT}	PG 高電平信號的延遲時間		1.35	2.5	4	ms
軟啟動
t_SS	從設定點的第一個 SW 脈沖到 90% VOUT/FB 的時間		2	3.5	4.6	ms
t_HICCUP	重試軟啟動之前處于斷續模式的時間		30	50	75	ms
振蕩器（SYNC/MODE 引腳）
t_{PULSE_H}	需要識別為脈沖的高電平持續時間		100			ns
t_{PULSE_L???}	需要識別為脈沖的低電平持續時間		100			ns
t_SYNC	要識別為有效時鐘信號的高/低電平脈沖最大持續時間				6	μs
t_MODE	在一個電平上指示 FPWM 或自動模式所需的時間		12.5			μs
F_SW(400kHz)	400kHz 固定開關頻率		340	400	460	kHz
F_SW(2.2MHz)	2.2MHz 固定開關頻率		2100	2200	2300	kHz
f_SYNC	頻率 SYNC 范圍		0.2		2.5	MHz
V_{MODE_L}	SYNC/MODE 輸入電壓低電平閾值				1	V
V_{MODE_H}	SYNC/MODE 輸入電壓高電平閾值		1.6			V
開關節點
t_ON-MIN	最短高側開關導通時間	FPWM 模式 I_OUT = 1A，2.2MHz 固定		65	75	ns
t_OFF-MIN	最短高側開關關斷時間			60	85	ns
t_ON-MAX	最大高側開關導通時間	壓降中的 HS 超時	6	9	13	μs
功率級
V_{BOOT_UVLO}	與 SW 相比 BOOT 引腳上的電壓，將關閉高側開關			2.1		V
R_DSON-HS	高側 MOSFET 導通電阻	負載 = 1A		132	260	mΩ
R_DSON-LS	低側 MOSFET 導通電阻	負載 = 1A		75	140	mΩ

(1) 這是器件開環使用的電流，并不代表穩壓時系統的總輸入電流。