ZHCST27A September 2023 – July 2024 LMQ64480-Q1 , LMQ644A0-Q1 , LMQ644A2-Q1
PRODUCTION DATA
7.3.13 過流和短路保護
LMQ644xx 通過針對高側和低側 MOSFET 的逐周期電流限制在過流情況下得到保護。
高側 MOSFET 過流保護是通過峰值電流模式控制的特性來實現的。當高側開關在較短的消隱時間后導通時，將檢測到高側開關電流。每個開關周期內，HS 開關電流將與電壓調節環路的輸出減去斜坡補償所得到的值進行比較。由于電壓環路具有最大值并且斜率補償隨占空比的增大而增加，因此 HS 電流限值會隨著占空比的增大而減小，這樣對于高輸出與輸入電壓占空比，HS 電流限值會降低 35%。請參閱圖 7-14。
圖 7-14 允許流經 HS FET 的最大電流 - LMQ644xx 占空比的函數當 LS 開關接通時，也會檢測和監控流經 LS 開關的電流。與高側器件一樣，電壓控制環路會命令低側器件關斷。對于低側器件，即使振蕩器正常啟動一個新的開關周期，也會在電流超過此值時阻止關斷。請參閱節 7.4.3.4。與高側器件一樣，關斷電流的高低也受到限制。這稱為低側電流限制；有關值，請參閱電氣特性。如果超出 LS 電流限值，LS MOSFET 將保持導通狀態，HS 開關不會導通。LS 開關在 LS 電流降至其限值以下后關斷。只要自 HS 器件上次導通后至少經過一個時鐘周期 HS 開關就會再次導通。
圖 7-15 電流限值波形高側和低側限流運行的最終影響是 IC 在遲滯控制下運行。由于電流波形假定值介于 IL-HS 和 IL-LS 之間，因此除非占空比非常高，否則輸出電流接近這兩個值的平均值。在電流限制下運行之后將使用遲滯控制，并且電流不會隨著輸出電壓接近零而增加。
如果占空比非常高，則電流紋波必須非常低以防止不穩定；請參閱節 8.2.2.3。由于電流紋波低，因此除非器件上的壓降小于 0.5V，否則該器件能夠提供全電流。提供的電流非常接近 IL-LS。
如果過載，則在過載消除后，器件會像在軟啟動中一樣恢復；請參閱節 7.3.12。請注意，如果輸出電壓降至預期輸出電壓的大約 0.4 倍以下，則會觸發斷續。