ZHCSFT3D March 2015 – March 2017 LMG5200
PRODUCTION DATA.
1 特性
2 應用
- 寬 VIN 數兆赫茲同步降壓轉換器
- D 類音頻放大器
- 適用于電信、工業和企業計算的 48V 負載點 (POL) 轉換器
- 高功率密度單相和三相電機驅動
3 說明
LMG5200 器件集成了 80V、10A 驅動器和 GaN 半橋功率級，采用增強模式氮化鎵 (GaN) FET 提供了一套集成功率級解決方案。該器件包含兩個 80V GaN FET，它們由采用半橋配置的同一高頻 GaN FET 驅動器提供驅動。
GaN FET 在功率轉換方面的優勢顯著，因為其反向恢復電荷幾乎為零，輸入電容 CISS 也非常小。所有器件均安裝在一個完全無鍵合線的封裝平臺上，盡可能減少了封裝寄生元件數。LMG5200 器件采用 6mm × 8mm × 2mm 無鉛封裝，可輕松安裝在 PCB 上。
該器件的輸入與 TTL 邏輯兼容，無論 VCC 電壓如何，都能夠承受高達 12V 的輸入電壓。專有的自舉電壓鉗位技術確保了增強模式 GaN FET 的柵極電壓處于安全的工作范圍內。
該器件配有用戶友好型接口且更為出色，進一步提升了分立式 GaN FET 的優勢。對于具有高頻、高效操作及小尺寸要求的 應用 而言，該器件堪稱理想的解決方案。與 TPS53632G 控制器搭配使用時，LMG5200 能夠直接將 48V 電壓轉換為負載點電壓 (0.5-1.5V)。
器件信息(1)
| 器件型號 | 封裝 | 封裝尺寸（標稱值） |
|---|---|---|
| LMG5200 | QFM (9) | 6.00mm × 8.00mm |
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