1 特性

• 集成 15mΩ GaN FET 和驅(qū)動(dòng)器
• 80V 連續(xù)電壓，100V 脈沖電壓額定值
• 封裝經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的 PCB 布局，無(wú)需考慮底層填料、爬電和余隙要求
• 超低共源電感可確保實(shí)現(xiàn)高壓擺率開(kāi)關(guān)，同時(shí)在硬開(kāi)關(guān)拓?fù)渲胁粫?huì)造成過(guò)度振鈴
• 非常適合隔離式和非隔離式 應(yīng)用
• 柵極驅(qū)動(dòng)器支持高達(dá) 10MHz 的開(kāi)關(guān)頻率
• 內(nèi)部自舉電源電壓鉗位可防止 GaN FET 過(guò)驅(qū)
• 電源軌欠壓鎖定保護(hù)
• 優(yōu)異的傳播延遲（典型值為 29.5ns）和匹配（典型值為 2ns）
• 低功耗

2 應(yīng)用

• 寬 V_IN 數(shù)兆赫茲同步降壓轉(zhuǎn)換器
• D 類(lèi)音頻放大器
• 適用于電信、工業(yè)和企業(yè)計(jì)算的 48V 負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器
• 高功率密度單相和三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)

3 說(shuō)明

LMG5200 器件集成了 80V、10A 驅(qū)動(dòng)器和 GaN 半橋功率級(jí)，采用增強(qiáng)模式氮化鎵 (GaN) FET 提供了一套集成功率級(jí)解決方案。該器件包含兩個(gè) 80V GaN FET，它們由采用半橋配置的同一高頻 GaN FET 驅(qū)動(dòng)器提供驅(qū)動(dòng)。

GaN FET 在功率轉(zhuǎn)換方面的優(yōu)勢(shì)顯著，因?yàn)槠浞聪蚧謴?fù)電荷幾乎為零，輸入電容 C_ISS 也非常小。所有器件均安裝在一個(gè)完全無(wú)鍵合線的封裝平臺(tái)上，盡可能減少了封裝寄生元件數(shù)。LMG5200 器件采用 6mm × 8mm × 2mm 無(wú)鉛封裝，可輕松安裝在 PCB 上。

該器件的輸入與 TTL 邏輯兼容，無(wú)論 VCC 電壓如何，都能夠承受高達(dá) 12V 的輸入電壓。專(zhuān)有的自舉電壓鉗位技術(shù)確保了增強(qiáng)模式 GaN FET 的柵極電壓處于安全的工作范圍內(nèi)。

該器件配有用戶(hù)友好型接口且更為出色，進(jìn)一步提升了分立式 GaN FET 的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于具有高頻、高效操作及小尺寸要求的 應(yīng)用 而言，該器件堪稱(chēng)理想的解決方案。與 TPS53632G 控制器搭配使用時(shí)，LMG5200 能夠直接將 48V 電壓轉(zhuǎn)換為負(fù)載點(diǎn)電壓 (0.5-1.5V)。

1. 如需了解所有可用封裝，請(qǐng)參閱產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)末尾的可訂購(gòu)產(chǎn)品附錄。已更正中的印刷錯(cuò)誤

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