ZHCSXP8 December 2024 LMG3650R035
ADVANCE INFORMATION
LMG365xR035 是一款具有集成柵極驅(qū)動器的高性能功率 GaN 器件。GaN 器件提供零反向恢復和超低輸出電容，可在基于橋的拓撲中獲得高效率。
集成驅(qū)動器可確保器件在漏極壓擺率 時保持關(guān)斷狀態(tài)。集成驅(qū)動器可保護 GaN 器件免受過流、短路、過熱、VDD 欠壓和高阻抗 RDRV 引腳的影響。
與 Si MOSFET 不同，GaN 器件在源極到漏極之間沒有 p-n 結(jié)，因此沒有反向恢復電荷。然而，GaN 器件仍然會像 p-n 結(jié)體二極管一樣從源極導通到漏極，但壓降更高，導通損耗更高。因此，必須在 LMG365xR035 GaN FET 關(guān)斷時盡可能縮短源漏導通時間。