LMG3650R035
- 具有集成式柵極驅(qū)動器的 650V 35mΩ GaN 功率 FET
- >200V/ns FET 釋抑
- 可調(diào)壓擺率,用于優(yōu)化開關性能和緩解 EMI
- 10V/ns 至 100V/ns 導通壓擺率
- 10V/ns 至全速關斷壓擺率
- 可在電源引腳和輸入邏輯引腳電壓范圍為 9V 至 26V 的情況下運行
- 強大的保護
- 響應時間 <300ns 的逐周期過流和鎖存短路保護
- 硬開關時可承受 720V 浪涌
- 針對內(nèi)部過熱和 UVLO 監(jiān)控的自我保護
- 帶有散熱焊盤的 9.8mm × 11.6mm TOLL 封裝
LMG365xR035 GaN FET 具有集成式驅(qū)動器和保護功能,適用于開關模式電源轉(zhuǎn)換器,可讓設計人員實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。
可調(diào)柵極驅(qū)動器強度允許獨立地控制導通和最大關斷壓擺率,這可用于主動控制 EMI 并優(yōu)化開關性能。導通壓擺率可以在 10V/ns 至 100V/ns 內(nèi)變化,而關斷壓擺率可以根據(jù)負載電流的大小限制為 10V/ns 至最大值。保護特性包括欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期過流限制、短路和過熱保護。LMG3651R035 在 LDO5V 引腳上提供 5V LDO 輸出,可用于為外部數(shù)字隔離器供電。LMG3656R035 包含零電壓檢測 (ZVD) 功能,可在實現(xiàn)零電壓開關時提供來自 ZVD 引腳的脈沖輸出。LMG3657R035 包含零電流檢測 (ZCD) 功能,可在漏源電流為負時將 ZCD 引腳設置為高電平,并在檢測到過零點時轉(zhuǎn)換為低電平。
技術文檔
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|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | 具有集成驅(qū)動器和保護功能的 LMG365xR035 650V 35 mΩ GaN FET 數(shù)據(jù)表 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2025年 1月 3日 |
| 技術文章 | 以整合式 TOLL 封裝 GaN 裝置推動電源供應設計創(chuàng)新 | PDF | HTML | 2025年 3月 20日 | |||
| 技術文章 | ?? TOLL ???? GaN ??? ??? ?? ?? ?? ?? ?? ?? | PDF | HTML | 2025年 3月 20日 | |||
| 技術文章 | 借助高集成度 TOLL 封裝 GaN 器件推動電源設計創(chuàng)新 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2025年 3月 19日 | |
| EVM 用戶指南 | LMG3650R035 評估模塊 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2025年 1月 13日 |
設計和開發(fā)
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子卡
LMG3650EVM-114 — LMG3650R035 子卡
LMG3650R035 評估模塊 (EVM) 將兩個 LMG3650R035 GaN FET 為半橋拓撲,具有過熱保護、逐周期過流保護、鎖存短路去飽和保護功能以及用于測試隔離式輔助電源或自舉電源所需的所有輔助外設電路。該 EVM 旨在與大型系統(tǒng)配合使用。
參考設計
TIDA-010954 — 基于 GaN 的 600W 單相周波轉(zhuǎn)換器參考設計
該參考設計基于周波轉(zhuǎn)換器 (AC-DAB) 拓撲和 TI GaN 功率級,實現(xiàn)了 600W 雙向單級直流-交流逆變器。該設計在直流側(cè)支持最高 60V 和 ±16A,在單相側(cè)支持 230VAC 和 2.6A。該逆變器支持雙向功率流,可用于各種應用,例如光伏微型逆變器或電池儲能系統(tǒng) (BESS)。
設計指南: PDF
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| TO-OTHER (KLA) | 9 | Ultra Librarian |
訂購和質(zhì)量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件標識
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級/回流焊峰值溫度
- MTBF/時基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息:
- 制造廠地點
- 封裝廠地點
推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關的參數(shù)、評估模塊或參考設計。