ZHCST41C September 2023 – September 2025 LMG3624
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
GaN 功率 FET 的導(dǎo)通壓擺率可通過 RDRV 和 AGND 引腳之間的電阻設(shè)定為四個(gè)分立式設(shè)置之一。當(dāng) AUX 電壓上升到高于 AUX 上電復(fù)位電壓時(shí)，可在 AUX 上電期間確定一次轉(zhuǎn)換率設(shè)置。轉(zhuǎn)換率設(shè)置確定時(shí)間未指定，但大約為 0.4μs。
壓擺率設(shè)置 展示了四個(gè)轉(zhuǎn)換率設(shè)置下的建議典型電阻設(shè)定值以及每個(gè)設(shè)置下的典型導(dǎo)通轉(zhuǎn)換率。如表中所示，開路連接對于設(shè)定壓擺率設(shè)置 0 是可接受的，短路連接（RDRV 短接至 AGND）對于設(shè)定壓擺率設(shè)置 3 是可接受的。
| 導(dǎo)通壓擺率設(shè)置 | 建議的典型編程電阻 (kΩ) | 典型導(dǎo)通壓擺率 (V/ns) | 注釋 |
|---|---|---|---|
| 0（最慢） | 120 | LMG3624：20 | 可接受設(shè)定電阻的開路連接。 |
| LMG3624Y：7 | |||
| 1 | 47 | LMG3624：50 | |
| LMG3624Y：15 | |||
| 2 | 22 | LMG3624：75 | |
| LMG3624Y：22 | |||
| 3（最快） | 5.6 | LMG3624：150 | 可以接受設(shè)定電阻的短路連接（RDRV 短接到 AGND）。 |
| LMG3624Y：89 |