ZHCSXK4 September 2024 LMG3614
PRODUCTION DATA
7.3.1 GaN 功率 FET 開關(guān)能力
由于硅 FET 長期占據(jù)功率開關(guān)技術(shù)的主導(dǎo)地位，許多設(shè)計人員沒有意識到銘牌漏源電壓不能用作跨技術(shù)比較器件的等效點。硅 FET 的銘牌漏源電壓由雪崩擊穿電壓決定。GaN FET 的銘牌漏源電壓是根據(jù)對數(shù)據(jù)表規(guī)格的長期遵從性設(shè)定的。
超過硅 FET 的銘牌漏源電壓可能會立即導(dǎo)致?lián)p壞或造成永久性損壞。同時，GaN FET 的擊穿電壓遠(yuǎn)高于銘牌漏源電壓。例如，LMG3614 GaN 功率 FET 的擊穿漏源電壓超過 800V，這使得 LMG3614 能夠在超過相同銘牌額定硅 FET 的條件下運行。
我們借助圖 7-1 說明了 LMG3614 GaN 功率 FET 開關(guān)能力。該圖顯示了在開關(guān)應(yīng)用中，LMG3614 GaN 功率 FET 在兩個不同開關(guān)周期內(nèi)漏源電壓隨時間的變化情況。不對開關(guān)頻率或占空比進(jìn)行任何聲明。LMG3614 GaN 功率 FET 旨在在零電壓開關(guān) (ZVS) 或不連續(xù)導(dǎo)通模式 (DCM) 開關(guān)條件下開啟。
圖 7-1 GaN 功率 FET 開關(guān)能力FET 處于導(dǎo)通狀態(tài)時，每個周期都在 t0 之前開始。在 t0 時，GaN FET 關(guān)斷，寄生元件導(dǎo)致漏源電壓以高頻振鈴。高頻振鈴已經(jīng)減弱了 t1。在 t1 和 t2 之間，F(xiàn)ET 漏源電壓由開關(guān)應(yīng)用的特性響應(yīng)設(shè)置。特性以一條平坦的線（平坦區(qū)）顯示，但可以有其他響應(yīng)。在 t2 時，GaN FET 導(dǎo)通。對于罕見的浪涌事件，瞬態(tài)環(huán)電壓限制為 800V，平坦電壓限制為 720V。