ZHCSXK4 September 2024 LMG3614
PRODUCTION DATA
GaN 功率 FET 的導通壓擺率可通過 RDRV 和 AGND 引腳之間的電阻設定為四個分立式設置之一。當 AUX 電壓上升到高于 AUX 上電復位電壓時，可在 AUX 上電期間確定一次壓擺率設置。壓擺率設置確定時間未指定，但大約為 0.4μs。
表 7-1 顯示了四個壓擺率設置下的建議典型電阻設定值以及每個設置下的典型導通壓擺率。如表中所示，開路連接對于設定壓擺率設置 0 是可接受的，短路連接（RDRV 短接至 AGND）對于設定壓擺率設置 3 是可接受的。
| 導通壓擺率設置 | 建議的典型設定電阻 (k?) | 典型導通壓擺率 (V/ns) | 備注 |
|---|---|---|---|
| 0（最慢） | 120 | 20 | 可接受設定電阻的開路連接。 |
| 1 | 47Ω | 50 | |
| 2 | 22 | 75 | |
| 3（最快） | 5.6 | 150 | 可以接受設定電阻的短路連接（RDRV 短接到 AGND）。 |