ZHCSQH3B November 2022 – January 2025 LMG3522R030 , LMG3526R030 , LMG3527R030
PRODUCTION DATA
LMG352xR030 是一款具有集成柵極驅動器的高性能功率 GaN 器件。GaN 器件提供零反向恢復和超低輸出電容，可在基于橋的拓撲中獲得高效率。直接驅動架構適用于通過集成式柵極驅動器直接控制 GaN 器件。相較傳統的級聯方法，該架構具有更為出色的開關性能，有助于解決 GaN 應用中的一系列難題。
集成驅動器可確保器件在漏極壓擺率 時保持關斷狀態。集成驅動器可保護 GaN 器件免受過流、短路、過熱、VDD 欠壓和高阻抗 RDRV 引腳的影響。集成式驅動器還能夠感測芯片溫度，能夠通過一個經調制的 PWM 信號發出溫度信號。LMG3526R030 具有零電壓檢測 (ZVD) 功能，可在檢測到零電壓開關 (ZVS) 時在 ZVD 引腳輸出脈沖信號。LMG3527R030 包含零電流檢測 (ZCD) 功能，可在檢測到正漏源電流時提供來自 ZCD 引腳的脈沖輸出。
與 Si MOSFET 不同，GaN 器件在源極到漏極之間沒有 p-n 結，因此沒有反向恢復電荷。然而，GaN 器件仍然會像 p-n 結體二極管一樣從源極導通到漏極，但壓降更高，導通損耗更高。因此，必須在 LMG352xR030 GaN FET 關斷時盡可能縮短源漏導通時間。