ZHCSQO9 September 2024 LM70660 , LM706A0
PRODUCTION DATA
與任何功率轉換器件一樣，LM706x0 在運行時會消耗內(nèi)部功率。這種功率耗散的影響是將轉換器的內(nèi)部溫度升高到環(huán)境溫度以上。內(nèi)部芯片溫度 (TJ) 是以下各項的函數(shù)：
LM706x0 的最高內(nèi)核溫度必須限制為 150°C。這會限制器件的最大功率耗散，從而限制負載電流。方程式 29 展示了重要參數(shù)之間的關系。較大的環(huán)境溫度 (TA) 和較大的 RθJA 值會降低最大可用輸出電流。可以使用 LM706x0 - LM70660 或 LM706A0 快速入門計算器工具來估算轉換器效率。或者，可以調(diào)整 EVM 以匹配所需的應用要求，并且可以直接測量效率。
其中
RθJA 的正確值更難估計。如半導體和 IC 封裝熱指標 應用報告中所述，熱性能信息中給出的 RθJA 的 JESD 51-7 值并非對于設計用途始終有效，不得用于估計器件在實際應用中的熱性能。熱性能信息中報告的 JESD 51-7 值是在一組特定條件下測量所得值，在實際應用中很少能獲得。
有效 RθJA 是一個關鍵參數(shù)，取決于許多因素。以下是最關鍵的參數(shù)：
降額曲線 顯示了最大輸出電流與環(huán)境溫度間的關系的典型曲線，有助于實現(xiàn)良好的熱布局。
熱設計資源 可用作理想熱 PCB 設計和針對給定應用環(huán)境估算 RθJA 的指南。