ZHCSR51 November 2024 LM5190
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
-
6 詳細說明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3
特性說明
- 6.3.1 輸入電壓范圍 (VIN)
- 6.3.2 高壓輔助電源穩(wěn)壓器（VCC、BIAS）
- 6.3.3 精密使能端 (EN)
- 6.3.4 電源正常監(jiān)視器 (PGOOD)
- 6.3.5 開關(guān)頻率 (RT)
- 6.3.6 低壓降模式
- 6.3.7 雙隨機展頻 (DRSS)
- 6.3.8 軟啟動
- 6.3.9 輸出電壓設(shè)定值 (FB)
- 6.3.10 最短可控導(dǎo)通時間
- 6.3.11 電感器電流檢測（ISNS+、VOUT）
- 6.3.12 電壓環(huán)路誤差放大器
- 6.3.13 電流監(jiān)測器、可編程電流限制和電流環(huán)路誤差放大器（IMON/ILIM，ISET）
- 6.3.14 雙環(huán)路架構(gòu)
- 6.3.15 PWM 比較器
- 6.3.16 斜率補償
- 6.3.17 斷續(xù)模式電流限制
- 6.3.18 高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器（HO、LO）
- 6.4 器件功能模式
- 7 應(yīng)用和實施
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGY|19
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGY|19
訂購信息
7.4.2 布局示例
圖 7-16 展示了具有分立功率 MOSFET 的同步降壓穩(wěn)壓器的布局示例。該設(shè)計采用內(nèi)層作為頂層正下方的電源環(huán)路返回路徑，以構(gòu)成小面積開關(guān)電源環(huán)路。這個環(huán)路面積也就是說寄生電感必須盡可能小，從而盡可能地減少 EMI 以及開關(guān)節(jié)點電壓過沖和振鈴。
高頻電源環(huán)路電流通過 MOSFET，經(jīng)由內(nèi)層的電源接地平面，然后通過 0603/1210 陶瓷電容器返回至 VIN。
六個 0603 外殼尺寸電容器并聯(lián)放置在非常靠近高側(cè) MOSFET 的漏極處。小尺寸電容器的低等效串聯(lián)電感 (ESL) 和高自諧振頻率 (SRF) 可以帶來出色的高頻性能。這些電容器的負端子通過多個過孔連接到內(nèi)層接地平面，從而盡可能地減少寄生環(huán)路電感。
用于提高抗噪性和降低 EMI 的附加準則如下：
- 將 PGND 直接連接到低側(cè) MOSFET 和電源接地。將 AGND 直接連接到敏感模擬元件的模擬接地平面。AGND 的模擬接地平面與 PGND 的電源接地平面都必須在器件正下方單點連接至裸露焊盤。
- 使用較短的銅連接（無過孔）將 MOSFET 直接連接到電感器端子，因為該網(wǎng)絡(luò)具有高 dv/dt 并且會增加輻射 EMI。開關(guān)節(jié)點連接的單層布線意味著具有高 dv/dt 的開關(guān)節(jié)點過孔不會出現(xiàn)在 PCB 的底部。這樣可以避免在 EMI 測試期間電場耦合到參考接地層。VIN 和 PGND 平面覆銅屏蔽了將 MOSFET 連接到電感器端子的多邊形，從而進一步減少了輻射 EMI 信號。
- 將 EMI 濾波器 元件放置在 PCB 底部，使元件與頂部的功率級元件隔離開來。
圖 7-16 PCB 頂層