盡可能地減少雜散或寄生柵極環(huán)路電感是優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)性能的關(guān)鍵，因?yàn)闊o(wú)論是與 MOSFET 柵極電容諧振的串聯(lián)柵極電感，還是共源電感（柵極和功率回路常見(jiàn)），都會(huì)提供與柵極驅(qū)動(dòng)命令相反的負(fù)反饋補(bǔ)償，從而導(dǎo)致 MOSFET 開(kāi)關(guān)時(shí)間延長(zhǎng)。以下環(huán)路非常重要：
- 環(huán)路 3：高側(cè) MOSFET，QH。在高側(cè) MOSFET 導(dǎo)通期間，大電流從自舉電容器流向柵極驅(qū)動(dòng)器和高側(cè) MOSFET，然后再通過(guò) SW 連接流回到啟動(dòng)電容器的負(fù)端子。相反，若要關(guān)斷高側(cè) MOSFET，大電流從自舉（啟動(dòng)）電容器流向柵極驅(qū)動(dòng)器和高側(cè) MOSFET，然后再通過(guò) SW 連接流回到啟動(dòng)電容器的負(fù)端子。
- 環(huán)路 4：低側(cè) MOSFET，QL。在低側(cè) MOSFET 導(dǎo)通期間，大電流從 VCC 去耦電容器流向柵極驅(qū)動(dòng)器和低側(cè) MOSFET，然后再通過(guò)接地端流回電容器的負(fù)端子。相反，若要關(guān)斷低側(cè) MOSFET，大電流從低側(cè) MOSFET 的柵極流向柵極驅(qū)動(dòng)器和 GND，然后再通過(guò)接地端流回低側(cè) MOSFET 的源極。
在使用高速 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，TI 建議遵循以下電路布局指南。
- 從柵極驅(qū)動(dòng)器輸出（HO 和 LO）到高側(cè)或低側(cè) MOSFET 相應(yīng)柵極的連接必須盡可能短，從而減少串聯(lián)寄生電感。請(qǐng)注意，峰值柵極驅(qū)動(dòng)電流可高達(dá)幾安培。使用 0.65mm (25mil) 或更寬的跡線。在必要時(shí)，沿著這些跡線使用直徑至少 0.5mm (20mil) 的通孔。將 HO 和 SW 跡線作為差分對(duì)從器件布放到高側(cè) MOSFET，從而充分利用磁通抵消。另外，將 LO 跡線和 PGND 跡線/銅面積作為差分對(duì)從器件布放到低側(cè) MOSFET，從而充分利用磁通抵消。
- 將自舉電容器 CCBOOT 靠近器件的 CBOOT 和 SW 引腳放置，從而盡可能地減少與高側(cè)驅(qū)動(dòng)器相關(guān)聯(lián)的環(huán)路 3 面積。類(lèi)似地，將 VCC 電容器 CVCC 靠近器件的 VCC 和 PGND 引腳放置，從而盡可能地減少與低側(cè)驅(qū)動(dòng)器相關(guān)聯(lián)的環(huán)路 4 面積。