ZHCSQX2 July 2024 LM5190-Q1
ADVANCE INFORMATION
圖 7-16 展示了具有分立功率 MOSFET 的同步降壓穩壓器的布局示例。該設計采用內層作為頂層正下方的電源環路返回路徑,以構成小面積開關電源環路。這個環路面積也就是說寄生電感必須盡可能小,從而盡可能地減少 EMI 以及開關節點電壓過沖和振鈴。
高頻電源環路電流通過 MOSFET,經由內層的電源接地平面,然后通過 0603/1210 陶瓷電容器返回至 VIN。
六個 0603 外殼尺寸電容器并聯放置在非常靠近高側 MOSFET 的漏極處。小尺寸電容器的低等效串聯電感 (ESL) 和高自諧振頻率 (SRF) 可以帶來出色的高頻性能。這些電容器的負端子通過多個過孔連接到內層接地平面,從而盡可能地減少寄生環路電感。
用于提高抗噪性和降低 EMI 的附加準則如下: