ZHCSQX2 July 2024 LM5190-Q1
ADVANCE INFORMATION
LM5190-Q1 包含柵極驅動器和一個關聯的高側電平轉換器來驅動外部 N 溝道 MOSFET。高側柵極驅動器與內部自舉二極管 DBOOT 和自舉電容器 CBOOT 搭配使用。在低側 MOSFET 的導通間隔期間，SW 電壓約為 0V，而 CBOOT 通過內部 DBOOT 從 VCC 充電。TI 建議使用短跡線在 CBOOT 和 SW 引腳之間連接一個 0.1μF 陶瓷電容器。
LO 和 HO 輸出由自適應死區時間方法進行控制，因此兩個輸出（HO 和 LO）絕不會同時啟用，從而防止出現跨導。在允許啟用 LO 驅動器輸出之前，自適應死區時間邏輯會先禁用 HO 并等待 HO 電壓降至 1.5V（典型值）以下。然后，會允許 LO 在短暫延遲（HO 下降至 LO 上升延遲）后啟用。同樣，HO 導通會延遲，直到 LO 電壓降至 1.5V 以下。這項技術確保任何尺寸的 N 溝道 MOSFET 實現（包括并聯 MOSFET 配置）具有足夠的死區時間。
添加串聯柵極電阻器時要格外小心，因為這可能影響有效死區時間。所選的高側 MOSFET 確定了相應自舉電容值 CBOOT，如方程式 13 所示。
其中
若要確定 CBOOT，請選擇合適的 ΔVCBOOT，使可用的柵極驅動電壓不會受到顯著影響。ΔVCBOOT 的可接受范圍為 100mV 至 300mV。自舉電容器必須為低 ESR 陶瓷電容器，典型值為 0.1μF。所選 FET 應確保最小輸入電源電壓高于 FET 的柵極平坦區域電壓加上 0.5V，以便 FET 導通時在歐姆區域工作。