將控制器盡可能地靠近功率 MOSFET 放置以最大限度地縮短柵極驅動器布線長度，如此一來，與模擬和反饋信號以及電流檢測相關的分量便可以通過如下方式加以考慮：
- 分離電源和信號跡線，并使用接地平面來提供噪聲屏蔽。
- 將與 COMP、FB、SLOPE、SS/ATRK 和 RT 相關的所有敏感模擬布線和元件放置在遠離如下高壓開關節點的位置，以避免相互耦合：
- SW1
- SW2
- HO1
- HO2
- LO1
- LO2
- HB1
- HB2
- 使用內部層作為接地平面。特別注意將反饋 (FB) 跡線與電源跡線和元件隔離開來。
- 以差分對形式布放 CSA 和 CSB 以及 ISNSP 和 ISNSN 跡線，從而更大限度地減少噪聲拾取，并使用開爾文連接方式連接到適用的分流電阻器。
- 將上反饋電阻器和下反饋電阻器靠近 FB 引腳放置，從而使 FB 跡線盡可能短。將跡線從上反饋電阻器布放到輸出電壓感測點上。
- 使用一個公共接地節點進行電源接地，并使用另一個公共接地節點進行模擬接地，以盡可能降低接地噪聲的影響。在靠近 IC 其中一個接地引腳的任意位置連接這些接地節點。
- HTSSOP 封裝提供了一種通過封裝底部外露散熱焊盤實現半導體芯片散熱的方式。雖然封裝的外露焊盤并不直接連接到封裝的任何引線，但會以熱連接的方式連接至該器件的基板（接地端）。此連接可以顯著改善散熱，并且 PCB 設計必須采用導熱焊盤、散熱通孔和接地平面，以構成完整的散熱系統。