ZHCSTC5D October 2023 – September 2025 LM51772
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 參數(shù)測(cè)量信息
-
7 詳細(xì)說(shuō)明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3
特性說(shuō)明
- 7.3.1 降壓/升壓控制方案
- 7.3.2 節(jié)能模式
- 7.3.3 可編程導(dǎo)通模式 PCM
- 7.3.4 參考系統(tǒng)
- 7.3.5 電源電壓選擇 - VSMART 開(kāi)關(guān)和選擇邏輯
- 7.3.6 使能和欠壓鎖定
- 7.3.7 內(nèi)部 VCC 穩(wěn)壓器
- 7.3.8 誤差放大器和控制
- 7.3.9 輸出電壓放電
- 7.3.10 峰值電流傳感器
- 7.3.11 短路 - 斷續(xù)保護(hù)
- 7.3.12 電流監(jiān)測(cè)器/限制器
- 7.3.13 振蕩器頻率選擇
- 7.3.14 頻率同步
- 7.3.15 輸出電壓跟蹤
- 7.3.16 斜率補(bǔ)償
- 7.3.17 可配置軟啟動(dòng)
- 7.3.18 驅(qū)動(dòng)引腳
- 7.3.19 雙隨機(jī)展頻 - DRSS
- 7.3.20 柵極驅(qū)動(dòng)器
- 7.3.21 電纜壓降補(bǔ)償 (CDC)
- 7.3.22 CFG 引腳和 R2D 接口
- 7.3.23 高級(jí)監(jiān)控功能
- 7.3.24 保護(hù)特性
- 7.4 器件功能模式
- 7.5 編程
- 8 LM51772 寄存器
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHA|40
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHA|40
訂購(gòu)信息
7.3.2 節(jié)能模式
當(dāng) MODE 引腳為低電平時(shí)，省電模式 (PSM) 將激活。在這種運(yùn)行模式下，開(kāi)關(guān)活動(dòng)減少，效率最大化。如果 MODE 引腳為高電平，則會(huì)禁用省電模式。然后，轉(zhuǎn)換器將在連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 或強(qiáng)制 PWM 模式 (fPWM) 下運(yùn)行。
在 PFM 升壓、降壓或降壓/升壓模式下，轉(zhuǎn)換器以低至定義的最小峰值電流運(yùn)行。如果達(dá)到該最小電流（PSM 進(jìn)入閾值），PWM 會(huì)將運(yùn)行模式更改為單脈沖。單脈沖運(yùn)行期間包含所有三種狀態(tài)（I、II、III）。單脈沖運(yùn)行期間的占空比基于計(jì)時(shí)器，并適應(yīng)不同的 VIN 和 VOUT 檢測(cè)電壓。為了獲得較小的輸出電壓紋波，轉(zhuǎn)換器調(diào)制方案對(duì)低于 PSM 進(jìn)入閾值的開(kāi)關(guān)活動(dòng)使用一個(gè)脈沖或多個(gè)單脈沖。
如果電感器電流（負(fù)載電流）進(jìn)一步降低，單脈沖的頻率會(huì)降至所選開(kāi)關(guān)頻率的大約四分之一。電感器（負(fù)載電流）進(jìn)一步降低時(shí)，輸出電壓會(huì)增加，因?yàn)樨?fù)載消耗的能量小于轉(zhuǎn)換器在開(kāi)關(guān)期間產(chǎn)生的能量。如果 VO 增加，電壓調(diào)節(jié)環(huán)路會(huì)檢測(cè)到該增加情況并將器件變?yōu)闀和顟B(tài)，或者如果已啟用 TI 專有的睡眠模式 (uSleep)，則會(huì)進(jìn)入 uSleep 模式。
在 uSleep 模式下，兩個(gè)低側(cè)都會(huì)導(dǎo)通，為 HB1 和 HB2 提供高側(cè)柵極電源以進(jìn)行充電。其他內(nèi)部電路會(huì)部分關(guān)斷，以便將轉(zhuǎn)換器的電流消耗降至盡可能低。如果輸出電壓達(dá)到標(biāo)稱輸出電壓設(shè)定點(diǎn)，則開(kāi)關(guān)活動(dòng)會(huì)在短暫的喚醒時(shí)間后再次開(kāi)始。
圖 7-6 省電模式的時(shí)序圖（禁用 uSleep）
圖 7-7 省電模式的時(shí)序圖（啟用 uSleep）PSM - ACM（自動(dòng)導(dǎo)通模式）是適用于 4 開(kāi)關(guān)降壓/升壓運(yùn)行情況的高輸出電流省電模式。在負(fù)載高于 PSM 進(jìn)入閾值的降壓/升壓運(yùn)行區(qū)域，開(kāi)關(guān)脈沖將被跳過(guò)，控制將進(jìn)入 ACM。在這里，器件調(diào)節(jié)保持在狀態(tài) II，并將輸入傳導(dǎo)至功率級(jí)的輸出。必要時(shí)，控制以最短的狀態(tài) I 或狀態(tài) III 時(shí)間啟動(dòng)開(kāi)關(guān)活動(dòng)，以便按照電壓調(diào)節(jié)環(huán)路的要求保持電感器電流。因此，輸出電壓仍然處于完全穩(wěn)壓狀態(tài)，且器件維持所有保護(hù)功能，例如 OCP。
圖 7-8 采用默認(rèn)寄存器設(shè)置時(shí) PSM 的功能狀態(tài)圖LM51772 具有自適應(yīng)省電模式閾值（請(qǐng)參閱 圖 7-9）。內(nèi)部算法從以下來(lái)源獲得 IVT(PSM)：
- VIN 引腳上施加的輸入電壓檢測(cè)
- 來(lái)自 VOUT 引腳的輸出電壓
- 通過(guò) ADDR/SLOPE 引腳 (表 7-4) 或 表 8-17 中的 SEL_SLOPE_COMP 寄存器選擇或編程的斜率補(bǔ)償系數(shù) (msc)。
- CFG3 引腳上選擇的電感器降額因子（表 7-6）。INC_INDUCTOR_DERATING 會(huì)將默認(rèn)設(shè)置增加 1LSB。或編程的表 8-17中的 SEL_INDUCT_DERATE 設(shè)置。必須根據(jù)電感器制造商數(shù)據(jù)表在 LM51772 功率級(jí) (RCS) 設(shè)計(jì)的最大電流下選擇電感器降額。
圖 7-9 PSM 進(jìn)入閾值和紋波電流與輸入電壓間的關(guān)系通用曲線圖如果轉(zhuǎn)換器在導(dǎo)通時(shí)間小于 ≈300ns 的降壓運(yùn)行條件下以及輕負(fù)載條件下運(yùn)行，建議開(kāi)啟 SYNC 輸出而不是使用 SYNC 輸入功能來(lái)提供低電感器電流紋波。