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ZHCSTC5D October 2023 – September 2025 LM51772

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RHA|40
- MPQF135D

散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RHA|40
- QFND660

訂購(gòu)信息

7.3.12.2 輸出電流限制

在此配置中，電流檢測(cè)對(duì)器件的峰值電流限制具有內(nèi)部反饋。ILIM 電路將 ILIMCOMP 電壓調(diào)節(jié)至 V_(ISET)，并優(yōu)先于電壓環(huán)路調(diào)節(jié)。

只要 ISNSP 和 ISNSN 之間的差分電壓超過(guò) ILIM 電路的內(nèi)部失調(diào)電壓，電感器峰值電流就會(huì)降低。可以通過(guò)寄存器編程或 ILIMCOMP 引腳中的 ISET 電阻器來(lái)設(shè)置 ILIM 閾值。

如果通過(guò)電阻器選擇電流限制閾值，則在 V_(ISET) 增加至閾值電壓（典型值為 1V）后，調(diào)節(jié)將優(yōu)先于電壓環(huán)路。ISET 的閾值電壓可以使用以下公式進(jìn)行計(jì)算：

方程式 15.

{V_{(ISET)} = (V_{(I S N S P)} - V_{(I S N S N)}) ? {g m}_{(ISET)} ? R}_{(ISET)}

因此，用于選擇電流限制閾值電壓的電阻值通過(guò)以下公式進(jìn)行計(jì)算：

方程式 16.

R_{(I S E T)} = \frac{V_{(I S E T)}}{(V_{(I S N S P)} {- V_{(I S N S N)}) ? g m}_{(ISET)}}

為實(shí)現(xiàn)高頻噪聲抑制，應(yīng)將基于以下公式的電容器與 R_(ISET) 并聯(lián)放置：

方程式 17.

C_{(I S E T)} = \frac{1}{π ? f_{(S W)} ? R_{(I S E T)}}

如果電流限制閾值由內(nèi)部 DAC 進(jìn)行編程，則可以通過(guò) ILIMCOMP 引腳上的電阻器和電容器網(wǎng)絡(luò)針對(duì)不同的負(fù)載來(lái)優(yōu)化電流限制控制環(huán)路的帶寬。可根據(jù)以下公式選擇阻性負(fù)載的簡(jiǎn)單積分器補(bǔ)償：

方程式 18.

C_{O 2} = \frac{5}{2 ? π ? f_{b w} ? R_{(L O A D)}}

其中 C_O2 是平均電流檢測(cè)電阻 R_(SNS) 之后的電容

f_bw 是電壓環(huán)路補(bǔ)償?shù)膸挘ㄕ?qǐng)參閱電壓調(diào)節(jié)環(huán)路）

方程式 19.

C_{O 1} = C_{O} - C_{O 2}

其中 C_O 是由電壓環(huán)路計(jì)算和應(yīng)用電壓紋波要求決定的總輸出電容。

其中 C_O1 是平均電流檢測(cè)電阻器 R_(SNS) 之前的電容

方程式 20.

f_{p} = \frac{1}{2 ? π ? R_{(S N S)} ? C_{O 2}}

方程式 21.

f_{b w i l i m} = {f_{p} ? 10}^{- 0.25}

方程式 22.

C_{(I L I M C O M P)} = \frac{{g m}_{(I L I M C O M P)}}{2 π ? f_{b w i l i m}}

圖 7-22 具有阻性負(fù)載的電流限制元件簡(jiǎn)化版原理圖

對(duì)于電子負(fù)載（CC 模式 CR 模式），可能需要采用 II 型補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)，以便適應(yīng)所用電子負(fù)載的內(nèi)部調(diào)節(jié)環(huán)路和帶寬。有關(guān)更詳細(xì)的優(yōu)化信息，請(qǐng)參閱快速入門(mén)計(jì)算器工具。

如果通過(guò)電阻器而不是內(nèi)部 DAC 來(lái)選擇電流限制閾值，則在 V_(ISET) 增加至閾值電壓（典型值為 1V）后，調(diào)節(jié)將優(yōu)先于電壓環(huán)路。ISET 的閾值電壓可以使用以下公式進(jìn)行計(jì)算：

方程式 23.

{V_{(ISET)} = (V_{(I S N S P)} - V_{(I S N S N)}) ? {g m}_{(ISET)} ? R}_{(ISET)}

因此，用于選擇電流限制閾值電壓的電阻值通過(guò)以下公式進(jìn)行計(jì)算：

方程式 24.

R_{(I S E T)} = \frac{V_{(I S E T)}}{(V_{(I S N S P)} {- V_{(I S N S N)}) ? g m}_{(ISET)}}

為實(shí)現(xiàn)高頻噪聲抑制，應(yīng)將基于以下公式的電容器與 R_(ISET) 并聯(lián)放置：

方程式 25.

C_{(I S E T)} = \frac{1}{π ? f_{(S W)} ? R_{(I S E T)}}

“ILIM_THRESHOLD”控制寄存器的讀取寄存器值被鉗制在寄存器范圍的下限和上限。

如果先前寫(xiě)入的寄存器值低于鉗位電流的值，則寄存器讀取值會(huì)被鉗位到最低鉗位電流（例如 500mA）。
如果先前寫(xiě)入的寄存器值高于鉗位電流的最高值，則寄存器讀取值會(huì)被鉗位到最高鉗位電流。