ZHCSNL6 March 2022 LM5143
PRODUCTION DATA
表 10-2 展示了此設(shè)計(jì)示例的預(yù)期輸入、輸出和性能參數(shù)。
| 設(shè)計(jì)參數(shù) | 值 |
|---|---|
| 輸入電壓范圍（穩(wěn)態(tài)） | 8V 至 18V |
| 最小瞬態(tài)輸入電壓（冷啟動(dòng)） | 3.5V |
| 最大瞬態(tài)輸入電壓（負(fù)載突降） | 36V |
| 輸出電壓 | 3.3V 和 5V |
| 輸出電流 | 7A |
| 開(kāi)關(guān)頻率 | 2.1MHz |
| 輸出電壓調(diào)節(jié) | ±1% |
| 待機(jī)電流，輸出 1 啟用，空載 | < 50μA |
| 關(guān)斷電流 | 4μA |
開(kāi)關(guān)頻率由電阻器 RRT 設(shè)定為 2.1MHz。在控制環(huán)路性能方面，目標(biāo)環(huán)路交叉頻率為 60kHz 并且相位裕度大于 50°。輸出電壓軟啟動(dòng)時(shí)間由 68nF 軟啟動(dòng)電容器設(shè)定為 2ms。
表 10-3 中列出了所選的降壓穩(wěn)壓器動(dòng)力總成系統(tǒng)器件，并且很多器件都可以從多個(gè)供應(yīng)商處獲得。之所以選擇 MOSFET 是為了獲得更低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)功率損耗，詳情如Topic Link Label10.1.1.4中所述。此設(shè)計(jì)采用低 DCR、金屬粉末復(fù)合電感器和陶瓷輸出電容器實(shí)現(xiàn)方案。
| 參考標(biāo)識(shí)符 | 數(shù)量 | 規(guī)格 | 制造商(1) | 器件型號(hào) |
|---|---|---|---|---|
| CIN | 4 | 10μF，50V，X7R，1210，陶瓷 | Taiyo Yuden（太陽(yáng)誘電） | UMJ325KB7106KMHT |
| 10μF，50V，X7R，1210，陶瓷 | Murata（村田） | GCM32EC71H106KA03 | ||
| TDK | CGA6P3X7S1H106M | |||
| CO | 8 | 47μF，6.3V，X7R，1210，陶瓷 | Murata（村田） | GCM32ER70J476KE19L |
| Taiyo Yuden（太陽(yáng)誘電） | JMK325B7476KMHTR | |||
| 47μF，6.3V，X7S，1210，陶瓷 | TDK | CGA6P1X7S0J476M | ||
| LO1、LO2 | 2 | 0.68μH，4.8mΩ，25A，7.3mm × 6.6mm × 2.8mm | Würth Elektronik（伍爾特電子） | 744373460068 |
| 0.68μH，4.5mΩ，22A，6.95mm × 6.6mm × 2.8mm | Cyntec（乾坤科技） | VCMV063T-R68MN2T | ||
| 0.68μH，3.1mΩ，20A，7mm × 6.9mm × 3.8mm | Würth Elektronik（伍爾特電子） | 744311068 | ||
| 0.68μH，7.4mΩ，12.2A，5.4mm × 5.0mm × 3mm | TDK | SPM5030VT-R68-D | ||
| 0.68μH，2.9mΩ，15.3A，6.7mm × 6.5mm × 3.1mm | Coilcraft（線藝） | XGL6030-681 | ||
| Q1、Q2、Q3、Q4 | 4 | 40V，5.7mΩ，9nC，SON 5 × 6 | Infineon（英飛凌） | IPC50N04S5L-5R5 |
| RS1、RS2 | 2 | 分流，7mΩ，0508，1W | Susumu（進(jìn)工業(yè)） | KRL2012E-M-R007 |
| U1 | 1 | LM514365V 雙通道/兩相同步降壓穩(wěn)壓器 | 德州儀器 (TI) | LM5143RHAR |