ZHCSNL6 March 2022 LM5143
PRODUCTION DATA
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 說(shuō)明（續(xù)）
- 6 器件比較表
- 7 引腳配置和功能
- 8 規(guī)格
-
9 詳細(xì)說(shuō)明
- 9.1 概述
- 9.2 功能方框圖
- 9.3
特性說(shuō)明
- 9.3.1 輸入電壓范圍 (VIN)
- 9.3.2 高壓偏置電源穩(wěn)壓器（VCC、VCCX、VDDA）
- 9.3.3 使能（EN1、EN2）
- 9.3.4 電源正常監(jiān)視器（PG1、PG2）
- 9.3.5 開(kāi)關(guān)頻率 (RT)
- 9.3.6 時(shí)鐘同步 (DEMB)
- 9.3.7 同步輸出 (SYNCOUT)
- 9.3.8 擴(kuò)頻調(diào)頻 (DITH)
- 9.3.9 可配置軟啟動(dòng)（SS1、SS2）
- 9.3.10 輸出電壓設(shè)定點(diǎn)（FB1、FB2）
- 9.3.11 最短可控導(dǎo)通時(shí)間
- 9.3.12 誤差放大器和 PWM 比較器（FB1、FB2、COMP1、COMP2）
- 9.3.13 斜率補(bǔ)償
- 9.3.14 電感器電流感測(cè)（CS1、VOUT1、CS2、VOUT2）
- 9.3.15 斷續(xù)模式電流限制 (RES)
- 9.3.16 高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器（HO1/2、LO1/2、HOL1/2、LOL1/2）
- 9.3.17 輸出配置 (MODE, FB2)
- 9.4 器件功能模式
- 10應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)
- 11電源相關(guān)建議
- 12布局
- 13器件和文檔支持
- 14機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHA|40
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHA|40
訂購(gòu)信息
10.2.1.2.6 輸入電容器
電源輸入通常在開(kāi)關(guān)頻率下具有相對(duì)較高的源阻抗。需要高質(zhì)量的輸入電容器來(lái)限制輸入紋波電壓。如前所述，雙通道交錯(cuò)運(yùn)行會(huì)顯著降低輸入紋波振幅。通常，紋波電流會(huì)根據(jù)電容器在開(kāi)關(guān)頻率條件下的相對(duì)阻抗在幾個(gè)輸入電容器之間進(jìn)行分流。
- 選擇具有足夠電壓和 RMS 紋波電流額定值的輸入電容器。
- 雙通道降壓穩(wěn)壓器在最差情況下的輸入紋波通常對(duì)應(yīng)于以下情況：一個(gè)通道在滿(mǎn)負(fù)載條件下工作，而另一個(gè)通道會(huì)被禁用或在空載條件下工作。使用Equation41 并假定最差情況下占空比工作點(diǎn)為 50% 來(lái)計(jì)算輸入電容器 RMS 紋波電流。 Equation41.
- 使用公式 42 來(lái)查找所需的輸入電容。 Equation42.
其中
- ΔVIN 是輸入峰-峰值紋波電壓規(guī)格。
- RESR 是輸入電容器 ESR。
- 確認(rèn)了陶瓷電容器的電壓系數(shù)后，為每個(gè)通道選擇兩個(gè) 10μF、50V、X7R、1210 陶瓷輸入電容器。將這些電容器靠近相關(guān)功率 MOSFET 放置。
- 在每個(gè)高側(cè) MOSFET 附近放置四個(gè) 10nF、50V、X7R、0603 陶瓷電容器以在 MOSFET 開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換期間提供高 di/dt 電流。此類(lèi)電容器在高于 100MHz 條件下提供高自諧振頻率 (SRF) 和低有效阻抗。這樣可以減小電源環(huán)路寄生電感，以最大限度地減少開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓過(guò)沖和振鈴，從而減小 EMI 信號(hào)。更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱Topic Link Label12.1中的圖 12-2。