ZHCSG45B March 2017 – March 2018 LM5113-Q1
PRODUCTION DATA.
LM5113-Q1 專為同時驅動采用同步降壓、升壓或半橋配置的高側和低側增強模式氮化鎵 (GaN) FET 或硅質 MOSFET 而設計,適用于汽車 應用。此器件具有一個集成于內部的 100V 自舉二極管,還為高側和低側輸出分別提供了獨立的輸入,可實現最大程度的靈活控制。高側偏置電壓在內部被鉗位為 5.2V,可防止柵極電壓超過增強模式 GaN FET 的最大柵極/源極電壓額定值。器件的輸入與 TTL 邏輯兼容,無論 VDD 電壓多高,它都能夠承受高達 14V 的輸入電壓。LM5113-Q1 具有分柵輸出的能力,可獨立靈活地調節開通和關斷強度。
此外,LM5113-Q1 具有非常可靠的灌電流能力,使柵極保持低電平,從而防止開關操作期間發生誤導通。LM5113-Q1 的工作頻率最高可達數 MHz。LM5113-Q1 采用帶有裸露焊盤的標準 10 引腳 WSON 封裝,可改善功耗。
| 器件型號 | 封裝 | 封裝尺寸(標稱值) |
|---|---|---|
| LM5113-Q1 | WSON (10) | 4.00mm x 4.00mm |